MOSFETについて

質問

MOSについて勉強しているものですが，ずっと悩んでて分かるかたいたら教えてください．

　たとえばｎMOSの場合，基盤電位とソース電位が０であるとゲート-ソース間電圧がしきい値を越えるとチャネルができON状態となりますが，ではソース電極が０ではない場合，基盤電位とゲート電極の電位差がしきい値を超えていればON状態になるのでしょうか？参考書などに書いてあることは，Vgsがしきい値を超えていればONとかかれているけど，言い換えれば基盤電位とゲート電極によってONかOFFになるということでよろしいんでしょうか？
よろしくお願いします．

回答No.1

rabbit_cat

＞基盤電位とゲート電極によってONかOFFになるということでよろしいんでしょうか？
違います。Vgsは、あくまでも、ゲートとソースとの電位差です。
最も単純なモデルでは、基板電位が変化しても、ゲート-ソース間の電位差が閾値を超えればONします。

とは言ったものの、実際のデバイスでは、やはり基板の電位も関係します。モデル上は、基板の電位が変化すると、トランジスタがONするVgsの閾値（VT）自体が変化する、とする場合が多いです。これを「基板バイアス効果」とか「バックゲート効果」などと言います。

お礼

回答ありがとうございます．

とにかくVgs次第でONかOFFは決まるんですね．
ただ一つ疑問に思うことは，ゲートと基盤電位が等しい時でもVgsさえしきい値を超えればONになるのでしょうか？ゲート基盤間に電位差がないとチャネルが形成されないような気もするのですが・・．

もう一度基盤バイアス効果調べてみます．
ありがとうございました．