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MOSFET回路の求め方
トランジスタ技術 1999年3月より MOSFETのゲートしきい値電圧の測定回路において MOSFET:2SK2614 RL:500Ω RG:100Ω VDD:15V VGG:可変 まず電源電圧を15Vとします。 次にVGSの測定条件VDS=10V、ID=1mAからRLを求めると500Ωとなります。 発振防止用のゲート抵抗100Ωを挿入してVGGを可変し電流計の値が1mAになったときのゲート・ソース間電圧を読み取ります。 上記の内容でなのですが、 まず電源電圧を15Vとします。 これの意味がわかりません。なぜ15Vを選択した理由がわからないのです。 次にVGSの測定条件VDS=10V、ID=1mAからRLを求めると500Ωとなります。 これも、どういった公式から求めたのががわかりません。 発振防止用ののゲート抵抗を100Ωとした理由もわかりません。 いろいろ書いてみましたが、全部わかりません。 書物やネットで調べてみたのですが、求め方やその公式などが省略または載っていなくどうしても理解できませんでした。 初心者の為どういったこと書けば良いかわからなかったので、回答していただく上で必要な情報やお答えを書いていただければと思います。 どうぞよろしくお願いします。
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noname#65902
回答No.1
お礼
とてもわかりやすい回答ありがとうございます。 今まで専門に特化した方に教えていただくことがいくらかあったのですが、ほとんどの基礎を知っていることを前提にに話をしてくださっていたようで自分には理解ができていなかったことが多かったみたいです。なので、初心者の私にも分かり易くてとても助かりました。 >トラ技で500Ωと書いてあるのはその数字が間違いなのか、あるいは先に書いた回路構成の推測が間違っているかのどちらかですね。 詳しくない私が言うのも何なんですけれども、walkingdicさんが推測していただいた回路構成はほぼ完璧なぐらいに合っていると思われます。 トラ技も間違いがあると聞くことがあるので、たぶんトラ技の間違いかと思います。 最初に回答いただいた方も言っておりましたが、数少ない情報から推測していただき、尚且つ分かり易い説明をありがとうございました。 今年一年回路の勉強に取り組んでいく予定で、何度か書き込むことがあると思いますが、また教えていただけると幸いです。 久しぶりに分かり易い回答をいただくことができつい嬉しくなって余計なことで文が埋まってしまいましたが。。。 本当に回答ありがとうございました。