MOSFETのゲートソース間電圧をかける向きについて

質問

ディプレッション型nチャネルMOSFETと
エンハンス型nチャネルMOSFETで
ゲートソース間にかける電圧の向きを
反対にする理由を教えてください。
特に、ディプレッション型ｎチャネルMOSFETについて、
ゲートソース間にかける電圧の向きを
エンハンス型nチャネルMOSFETと逆にした場合、
ゲートソース間電圧を大きくするほど
nチャネルは狭くなってドレイン電流量が
小さくなるような気がしてしまいます。
でも、特性図を見ると私の考えが
間違っているようです。
初歩的な質問ですいませんが
よろしくお願いいたします。

回答No.2

miyabi51 · ベストアンサー

蛇足かも知れませんが・・・

エンハンスメント型はノーマリイOFF（入力を与えない：Vgs=0でOFF）
Vgsにしきい値(Vgsth)以上を与えるとD(ドレイン)-S(ソース)間が導通(ON)します。
スイッチング動作の場合はOFFさせたいときはVgs=0，ONさせたいときはVgsth以上の電圧を与えます。
アンプに使用する場合はVgsは0～Vgsthの間にバイアス電圧を設定します。
殆どのMOSFETはこのタイプです。

デプレッションタイプはノーマリィON(Vgs=0でON：D-S間導通)
Vgsにしきい値を越えた電圧を与えてD-S)間が非導通(OFF)となります。
スイッチング動作の場合，ONさせたいときはG-S間を同電位とし，OFFさせたいときはゲート電位を大きくドレイン電位と反対方向に引きます。
アンプで使用する場合はVgsは0～Vgsthの間にバイアス電圧を設定します。
殆どのJFET(ジャンクションFET)はこのタイプで，かつてはしきい値電圧VgsthをVp(ピンチオフ電圧)と云っていました。（世代が知れるかも・・）
尚，一部のFET専門メーカーでは回路図記号でもエンハンスメント／デプレッション両タイプを識別出きるように又，ドレイン／ソースの識別できるようにシンボルを定めています。（興味が有れば自分で調べてください，JISでの表記はどうなっていたか覚えていません）

参考まで

お礼

ありがとうございました。

回答No.1

rabbit_cat

＞ディプレッション型ｎチャネルMOSFETについて、
＞エンハンス型nチャネルMOSFETと逆にした場合、
＞ゲートソース間電圧を大きくするほど
＞nチャネルは狭くなってドレイン電流量が
＞小さくなるような気がしてしまいます。
それで正しいです。
ディプレッション型でＶＧＳをマイナスにしていくと、どんどんドレイン電流が減っていきます。

お礼

どうもありがとうございます。