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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です(原文:オペアンプの出力段に入れるパワートランジスタの役割は?)

オペアンプの出力段に入れるパワートランジスタの役割は?

このQ&Aのポイント
  • オペアンプの出力段にパワートランジスタを入れる理由とは何でしょうか?
  • バッファ構成の場合、ゲートの電圧は何Vになっているのか?
  • オペアンプの出力端子に電圧が現れた時点でのソース電位はどうなっているのか?

質問者が選んだベストアンサー

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  • soramist
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回答No.1

>よくオペアンプの出力段にパワートランジスタ(今回はnmos、普通はnmos?)を入れていますが、どういう役割があるのでしょう? モノリシックのオペアンプでは、数十Aというような大出力電流は取れないので、MOSで「電流増幅」をするのです。  注 電圧・電流共に増幅することもあるので、「電力増幅」と考えても良いのですが、   質問者さんが、「バッファ(Gv=1)」と限定されているので、この条件に絞ってお答えします。 >またオペアンプの出力端子にゲートがつながって、・・・ ・・・プラス端子に0.65V入力すればバッファなので・・・ ・・・ 最終的な出力電圧を0.65Vにしようとしますが、ではゲートの電圧(オペアンプの出力電圧)は何Vになっているのでしょうか?ゲートに3V印加している場合です。 ・・・ ・・・ソース電位はどうなっているのですか? ご質問の考え方はほぼ正しいです。 ただし、最後のところは、「ソース電位は?」ではなく、「ゲート電位は?」・・・ですね?(^_^;) 「ゲートに3V印加している」の意味が曖昧ですが、一応スレショルド電圧のことと解してよければ、 大雑把に言って、これを上乗せした電圧をゲートにかける必要があります。 つまり、「入口と出口は0.65Vであるが、中ではそれ以上の電圧になっている箇所がある」ということです。 したがって、オペアンプは「出力電圧にスレショルド電圧を上乗せした電圧を出せる能力」がなくてはなりません。 「大雑把に言って・・・」と言いましたが、厳密には違いますので、具体的な例でいきましょう。 東芝の2SK2865のデータシートです。 3ページの「ゲート・ソース間電圧」を見てください。 (万一これが開けない場合は、どんなFETでもよいですから、データシートを提示してください。(「ゲート・ソース間電圧」データのあるもの) semicon.toshiba.co.jp/td/ja/Transistor/Power_MOS_FET/20050902_2SK2865_datasheet.pdf#search='2sk2865%20datasheet' 温度25℃で・・・ドレン(=ソース)電流が0Aのときのゲート電圧は約3.5Vです。 ドレン電流が1A(尖頭値)のときのゲート電圧は約4.5Vです。 仮に負荷インピーダンスが0.65Ωであれば、出力電圧は0.65V(尖頭値)となり、ゲート電圧は5.15V(尖頭値)が必要です。 (実際の設計に当たっては、出力電圧は「rms」から考えてこなければなりませんが、一応ここでは直流的な考え方でご説明しました) 別件ですが、「レギュレータの種類」はどうなさいました? 興味を持って見ているのですが・・・ わたしは、ご質問の趣旨は、「3端子レギュレータとスイッチングレギュレータの比較」の意味ではないかと思っているのですが、間違っていましたらご容赦・・・。 他の方は、質問をガッチリと受け止めて、ご回答しておられますね。 ご回答について何か納得いかないことがおありなのでしょうか? 余計なことかもしれませんが、納得いかない場合は、遠慮なく補足質問された方がよいと思います。 わたしは、何の書き込みもしない質問者(何を考えているのかわからない)には、原則として回答しない方針です。 申し訳ないですが、URLが「半角120字を超えている」ということで、打ち込めません。 上記URLの頭に「http//www.」を付けて貼り付けるか、「2SK2865 datasheet」で検索してみてください。 勿論、貴方から別のFETのデータシートをお送りいただいても結構です。