MOSFETの記号について

質問

ネットで検索してもうまくひっかからなくて困っています。添付した画像のMOSFETの記号を使えばｐ型シリコン基板上でｎウェル領域のあるCMOSインバータの回路図を書くことができると思いますが、ｎ型シリコン基板上でｐウェル領域のあるCMOSインバータの回路図を書きたいときには、基板やウェルの種類が変わることによって添付したMOSFETの記号も変わるのでしょうか。ぜひ、お力を貸していただけないでしょうか。

回答No.2

xpopo · ベストアンサー

＞ｎ型シリコン基板上でｐウェル領域のあるCMOSインバータの回路図を書きたいときには、基板やウェルの＞種類が変わることによって添付したMOSFETの記号も変わるのでしょうか。

その場合はｎ基板上にPchMOSFETを、Pwell上にNchMOSFETが形成されると思いますが記号としては同じです。
つまりPchMOSFETのバックゲートはｎ基板ですのでバックゲートのｎは最高電位のPchMOSFETのソースに接続されます。またPwell上に形成されるNｃｈMOSFETのバックゲートはPwellになりますのでバックゲートのｐは最低電位のNｃｈMOSFETのソースに接続されます。

お礼

つまり、元の基板の種類によってPchMOSFETもNchMOSFETもバックゲートがウェルになったり基板になったりするという話なんですね。
自分は資料の"この場合はｎウェル"という言葉に引っかかりすぎていたみたいでそれがpウェルに変わったらそれに対応して記号に変化が生じるのだろうかと勘違いしていたようです。ネットで探しても同じ回路図しか出ないことに納得がいきました。度々わかりやすい解説ありがとうございます。

回答No.1

rabbit_cat

とりあえず、質問に答えれば、ＭＯＳＦＥＴの記号は変わりません。

＞ｐ型シリコン基板上でｎウェル領域のあるCMOSインバータ
っていうのは、Ｐ型の単結晶シリコンウェハーを買ってきてそこにＮＭＯＳ，その上にＮウェルを作ってＰＭＯＳを作りこむ、みたいなイメージをしている？

半導体メーカーによって作り方は違うので一般的な話ではないのですが、多くのメーカーでは、ｐ型の単結晶ウェハーを買ってきて、まず、その上にＮウェルを作って、さらにその上にＰウェルを作ってそこにＮＭＯＳ、さらにその上にＮウェルを作ってそこにＰＭＯＳ、を作りこんでいます。

お礼

自分は学生の身なので一般的なMOSプロセスしか学んでおらず、専門的なことまではわかりませんが、実際に半導体メーカーで働いていらっしゃる方の意見はとても参考になりました。お答えしていただき、ありがとうございました。