FETを使用した逆接続保護回路について

質問

電池の逆差し時の保護回路を検討中です。
P-ch MOSFETを使用した逆接続保護回路の情報はよく見るのですが、
N-ch MOSFETを使用して保護回路を構成することは可能でしょうか？
回路図例などをご教授いただけると助かります。

※OKWAVEより補足：「技術の森( 電子・半導体・化学)」についての質問です。

回答No.2

ohkawa3

次のURLの情報に、逆接保護回路に、P-ch MOSFETとN-ch MOSFETを使用した場合の得失比較が記載されています。
https://www.monolithicpower.com/jp/learning/resources/designing-a-reverse-polarity-protection-circuit-part-i?srsltid=AfmBOoqG6Tct_EYJW3HGlo3vb1upF0rM02_dS1Tc-QN7mRmoprgMBZd8
ディスクリート素子で回路を構成するのであれば、N-ch MOSFETを使用することに支障はありません。

お礼

早速のご回答ありがとうござました。参考とさせていただきます。

回答No.1

FattyBear

手っ取り早くダイオードで良いのでは順方向電圧の分の電圧は
下がりますがダイオード1本で済みます。
逆さしでは電流が流れないので回路は保護されます。
ショットキーバリアーダイオードなら通常のダイオードより
順方向電圧は低いです。

お礼

ありがとうございます。
乾電池駆動のため電圧降下は避けたいのですが、ショットキーの使用もあわせて検討させていただきます。