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時定数の計算方法がよくわかりません
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時定数という観点からだけ見ると、問題ないと思います。 というのは、FETがONの時の送信インピーダンスは確かにほぼ0Ωから 200Ωに増えますが、FETがOFFするときの時定数は変わりません。 (1k + 1k = 2kΩと1000pF の時定数で 2μsec)"L"と"H"の 遅い方で仕様をクリアしていれば通信はできます。 ただし、他の問題が生じます。"L"のレベルが上がってしまうという 現象です。プルアップ抵抗が1kΩですから、FETがONになって "L"を出力しようとしても1kΩと200Ωの分割になってしまって、 "L"電圧が約550mVになってしまいます。これ自体は受けのCMOS VHC14の閾値から見て正常に動作する範囲ですが、余裕が半分 くらいになってしまいます。 "L"の時定数自体は20%増加するだけですが、1000pFの充放電カーブ を考えると、VHC14のVthを切るまでの時間はそれ以上に延びます。 19.2kbpsに対しては余裕はあるので、動作はすると思いますが、 "L"側のノイズ余裕が減るのが心配です。 この200Ωという値は減らせないのだとすると、受けの回路の 定数を10倍にはできないでしょうか。1kは10kに、1000pは100pに という具合です。これは静電気や他のサージに対しても強く なる方向で、スピードは同じです。そして、200Ωの効き方が 1/10になるので、ノイズイミュニティの問題も解決します。
お礼
御回答ありがとうございます。 非常にわかりやすい説明をいただいたため、誰からも回答が付かなかったのではないかと思うほどです。 そういえばダンピング抵抗に高い抵抗値を用いた時にL側のレベルが上がってしまったことがあるのを思い出しました。 同じ原理ですね。 勉強になりました。 ありがとうございます。