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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：TMRの原理に関する質問）
TMRの原理に関する質問
このQ&Aのポイント
- TMR原理とは、磁化度によって状態密度が大きくなった位置にフェルミ準位がきた場合に生じるエフェクトです。
- しかし、状態密度が大きくなった位置にフェルミ準位がこない場合にはTMRは発生しません。
- この場合、TMR原理の回避策については明確な説明がされていません。
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前回回答させていただいた者です。 まず、伝導に寄与する（TMRにも寄与する）電子のエネルギーは、室温ではフェルミ面近傍、なので厳密にフェルミ面のみでは無いですが、参照されている図(c)のように極端に状態密度の極大部分からはずれていると確かに話は違ってきます。 実際に、磁性金属で有っても、伝導電子のスピン偏極率（伝導に寄与する電子のマジョリティスピン偏り度）が低い物質が有ります。このような場合には、TMR効果は小さくなってしまって、材料としては使えません。 大きなTMRの値を得るためには、 １．伝導電子のスピン偏極率が高い物質を選ぶ ２．期待どおりの磁化変化を起こし、TMR効果以外の余計な散乱を起こさない理想的なTMR構造を構成出来る、磁性金属、障壁材料、磁気固定材料の組み合わせを選ぶ。 ３．穴の無い綺麗なトンネル構造を作る作製技術の開発 などが必要となってきます。 また、用途によっても違いますが、実用化するにはTMR効果の大きさ以外にも素子全体の電気抵抗値や安定性など種々の必要特性が有りますので、実用化には膨大な材料研究が求められています。
