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※ ChatGPTを利用し、要約された質問です（原文：酸化亜鉛系透明導電膜へ真空熱アニール）
酸化亜鉛系透明導電膜へ真空熱アニール
このQ&Aのポイント
- 500℃で行う真空熱アニールにより、酸化亜鉛系透明導電膜のホール移動度が向上し、キャリア密度が低下する。
- 真空熱アニール後には、ZnOの(002)のピーク値が大きく伸び、半値幅も小さくなっており、C軸方向に強く結晶成長している可能性がある。
- 酸素欠損部分に酸素が入り込み、酸化が進行し結晶の補強とキャリアの消失が起こることが考えられる。
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> 酸素を導入して真空アニール 酸素を入れたら、真空じゃないじゃん。 > 私の分析としては膜内の亜鉛やガリウムが500℃程度では原子配列が変化するとは到底考えにくいので ZnOに特に詳しいわけではありませんので、この根拠がわかりません。 なぜ、そう考えるのですか？ > 膜内の酸素欠損部分に酸素が入り込み酸化が進行し結晶の補強と酸素欠損で生じていたキャリアを消失させる働き 500℃でどのくらいの時間、熱処理されたのですか？ １時間程度ならば、チャンバー内の酸素がZnO膜中に入って、拡散できる深さは、せいぜい20～30nm程度だと思います。あなたの膜の厚さはどのくらいですか？
お礼
貴重なご意見ありがとうございます。今回の熱アニールの時間は240 minで処理を行いました。またサンプルの膜厚は500 nmです。 ZｎOやGa２O3が500 ℃程度での熱アニールで結晶配列に変化がないと考える根拠としては、それぞれの材料の融解点が1500 ℃以上であることから判断しております。今後SEM像による結晶状態の確認をしていく予定です。 質問なのですが、「１時間程度ならば、チャンバー内の酸素がZnO膜中に入って、拡散できる深さは、せいぜい20～30nm程度だと思います。」 とありますが、どのような理論から算出しているのですか？？