高周波増幅器のバイアスラインについて

質問

高周波関連の初心者です。
基板上において、FETにバイアスを与えた時その逆側にコンデンサとビアを配置しているのは何故なんでしょう。
参考書では、グラウンド-電源-インダクタ-FETと繋いでおり、それならば高周波を遮断するという理由が分かるのですが・・・
あと、実際に基板上において電源とはどんな風に配置されるのでしょうか？全くイメージが湧きません。
宜しくお願い致します。

回答No.2

CAW · ベストアンサー

>確認しますと、電源からグラウンド側にはコンデンサで高周波インピーダンスを下げて、FET側ではフェライトビーズで高周波インピーダンスをあげるということで宜しいでしょうか（フェライトビーズはインダクタの役割）？
>同様にドレインにバイアス回路を繋いだ場合も同じことを行えばいいんですよね？

そのとおりです、周波数が高くなってくると回路的インピーダンスと同時に
空間的インピーダンス、すなわち空間的距離を離して不要結合を避けるような
配慮も必要です。

お礼

どうもありがとうございました。

回答No.1

CAW

＞FETにバイアスを与えた時
これはゲートに抵抗でバイアス回路につないだ
でよろしいですかね。
そこで
＞その逆側にコンデンサとビアを配置しているのは
コンデンサは高周波的インピーダンスを下げます。
で、ビア？フェライトビーズかなんかですか
これは高周波インピーダンスを上げます。
グランド方向にインピーダンスを下げて
電圧供給方向にインピーダンスを上げることにより
バイアス回路からの不要結合を防ぐと言うのか減らします。
そも増幅回路というのは、発振との戦いなんですね。
これは増幅された後段の信号が前段に回り込んで
動作が不安定になることです。
マイクにスピーカーの音が入り込んでピーとかギャーとか
よくありますよね。あれが発振現象です。
そのために、とにかく、前段に、後段の信号が回り込まないように
色々と回路的対策をします。
それと同時に空間的結合もあるので、実装でも工夫が必要です。
そのへんが、実際の基板上での、グラウンドの配置になります。
扱う周波数にも寄りますが、比較的高い周波数で、回り込みに
シビアになってくると、接続点のみ島になっていて、後残りは
グランドばっかりと言うような、パターンになります。

補足

回答ありがとうございます＆返答遅く申し訳ございません。
ビアというのは、グラウンドまでの基板上における穴のつもりで書きました。
確認しますと、電源からグラウンド側にはコンデンサで高周波インピーダンスを下げて、FET側ではフェライトビーズで高周波インピーダンスをあげるということで宜しいでしょうか（フェライトビーズはインダクタの役割）？
同様にドレインにバイアス回路を繋いだ場合も同じことを行えばいいんですよね？