SU-8を露光する時間について

質問

マイクロ流体デバイスを製作しようと考えているのですがチップの型を作る時にシリコン基板にSU-8を塗布し、露光するのですがその露光時間とかの決定はどうすればよいのでしょうか？
露光に使うランプは水銀ランプを考えています。

回答No.2

mem_sya

露光時間はデバイスチップの形状でシャープさを得るにＶｉｄｏｈｕｎｉｒさんの連絡されたＵＲＬのドキュメントを見れば判断できます。
露光量の値はＳＵ－８製造メーカーではＵＶ波長　350nmで３００ｍｊ／ｃｍ２からとしています。照度計に同波長のフィルタをつけて測定し積算時間を計算して露光時間を決定するのがベスト、しかしフィルタがなくてもＯＫですよ・・・・
参考にＳＵ－８　３０００の製造メーカーが公表しているデータシートのＵＲＬを記述しますので参考にしてください。

　http://www.microchem.com/products/su_eight.htm

レジスト厚さにもＤｏｓｅ量は関係しますが数十μｍレベルでは大きな変化はありません。
露光そのものよりＰＥＢ、現像、Ｐｏｓｔｂａｋｅなどに注力したほうが良いですよ。

参考URL：

　http://www.microchem.com/products/su_eight.htm

お礼

この場を借りてお二人にお礼を言いたいと思います。
丁寧な回答ありがとうございます。
とても参考になりまりた。
PEB、現像、プリベークについては文献がたくさんあったので
どうにかなったのですが露光についてはそんなにこだわらなくても
いいせいか文献が少なく困っていたので大変感謝しています。
今後また何かあったら協力お願い致します。

回答No.1

Vidohunir

水銀ランプといっても種類によって光量が違うと思うので一概に言えないと思いますが。参考URLには露光時間はあまり影響ないと書いています。SEMとかで観察して大体希望の形状ができたらいいのでは？

参考URL：

http://www.iri-tokyo.jp/publish/report/14/P10F.pdf