アルミ・ブスバーのインダクタンス計算法

質問

専門的な質問ですが、大電流を流す時に、アルミのブスバーを使用しますが、そのインダクタンス成分（Ｌ値）の計算方法を教えて下さい。出来れば、断面積の影響（あまり、関係が無いかもしれませんが・・・）も判る様な計算式ですと、ベターです。
ご存じの方、恐れ入りますが、宜しく御願い致します。

回答No.1

nana773 · ベストアンサー

ビオサバールの法則、有限要素法、差分法等を使って３次元で周辺磁界を求め磁気エネルギーQを求めます。それをQ=0.5LI^2で自己インダクタンスが求まるので、電流1Aのときの磁気エネルギーだとするとL=2Qで求まります。

まわりに磁性体がある場合はビオサバールの法則では少し難しいです。できなくはないですけど・・・。

解析的に求めたいのなら、ブスバーの形状によって変わると思います。たとえば正方断面とか円断面とか・・・。円断面なら簡単ですよ。電気学会電磁気学に詳しい説明があるかなと思います。

半径aの円形導体のインダクタンス

Lo：外部インダクタンス
Lo = (μ0/2π)(ln(2/a)-1)

Li：内部インダクタンス
Li = μ0/8π

L = Lo+Li

となります。注意としては中空導体の場合式が長くなるのここではカットします。

ただ、ブスバーも周波数によって自己インダクタンスがかわりますので注意する必要があると思います。アルミブスバーをそんな高周波で使うことなんてないとおもいますけど・・・。

お礼

早速のご回答、有り難う御座います。
今まで、0.6μＨ／ｍとおおざっぱな考え方でしたので、参考になりました。
本当に、有り難う御座いました。