FETの破壊電圧について

質問

たびたび初心者な質問で申し訳ありません。

今、仕事で携わっているFETが2SK2956なんですが、電気的特性に「ゲート・ソース破壊電圧」という項目があります。
この値がプラスマイナス２０Vなんですが、この値以上の電圧をかけると素子が壊れる、と解釈してよろしいのでしょうか？
それとも別の解釈があるのでしょうか？

よろしくお願いします。

回答No.1

foobar · ベストアンサー

ゲートの部分が破壊して、素子が壊れる（可能性が高い）です。
（実際には、ゲートーソース間に過電圧保護のためのツェナーダイオードが入ってて、通常はこれがONしてFETのゲートを保護するので、壊れない可能性もあります。が、このダイオードが過負荷で壊れることもありますので、、。）

お礼

早速の回答を、ありがとうございます。
とても助かりました。