MOS-FETの使い方

質問

MOS-FETではゲートからドレイン＆ソース側へ電流が流れる事は無いと認識しています。この性質を利用して下記のような使い方をされる事はあるでしょうか？

・2つの回路をMOS-FETを介して接続する。
・ゲート側回路（以下、G側回路）からドレイン＆ソース側回路（以下　DS側回路）への電流の流入を無くす。
・ゲート電圧だけを利用してDS側回路へゲート電圧を印加する。

回答No.1

anachrockt · ベストアンサー

>・2つの回路をMOS-FETを介して接続する。
ディスクリートのMOSFETはほとんど使われていませんが，IC内のMOSFETはアナログスイッチとして使われています．
http://japan.maxim-ic.com/products/switches/
なぜ，ディスクリートのMOSFETが使われていないのかとゆうと寄生容量が大きすぎて，交流的にはチャンとオフできないからです．
もちろん大電力を扱う場合はディスクリートのMOSFETを使います（APV1122 シリーズ）．
http://www.mew.co.jp/ac/control/relay/photomos/wiring/index.jsp

>・ゲート側回路（以下、G側回路）からドレイン＆ソース側回路（以下　DS側回路）への電流の流入を無くす。
ゲート側回路（以下、G側回路）ではなくて，ゲート＆ソース側回路（以下、GS側回路）が正しいです．
電圧の基準はソースですから．
GS側回路からDS側回路への電流Igd流入は，ここのゲート・ドレイン間電荷量Qgdを見るとわかるようにあります．
http://www.semicon.toshiba.co.jp/docs/datasheet/ja/Transistor/2SK3132_ja_datasheet_061102.pdf
ご存じだと思いますが，Qgd = ∫(Igd)dt です．

>・ゲート電圧だけを利用してDS側回路へゲート電圧を印加する。
私には，書かれていることが理解できません．

お礼

御回答ありがとうございました。勉強になりました。

御紹介の東芝のカタログには、電荷量がQg,Qgs,Qgdの3つ定義されていて、Qg=Qgs+Qgdなのですね。本当にたくさんのパラメータがありますね。カタログを読めるようになるだけでも大変そうです（汗）

回答No.2

sanori

こんばんは。
ＬＳＩのことしか知らないので、それ関連だけを書きますね。

１．2つの回路をMOS-FETを介して接続する。

ＳＲＡＭのメモリーセルは、フリップフロップと、
そのフリップフロップ２つのノードに各々接続されているｎ－ＭＯＳＦＥＴによって構成されています。
これらのｎ－ＭＯＳＦＥＴはスイッチの役割をし、
それらがＯＮしたときに、信号の読み書きができるようになっています。

また、最も単純な例としては、ＤＲＡＭのメモリーセルが挙げられます。
記憶の役割をしているのは１つのコンデンサですが、
それにスイッチのｎ－ＭＯＳＦＥＴが接続されており、
ＯＮしたときに、信号の読み書きができるようになっています。

２．ゲート側回路（以下、G側回路）からドレイン＆ソース側回路（以下　DS側回路）への電流の流入を無くす。

これについては、私はわかりません。

３．ゲート電圧だけを利用してDS側回路へゲート電圧を印加する。

ＤとＳを短絡してＧＮＤにつなぎ、コンデンサ（ＭＯＳキャパシタと呼びます）として用いることがあります。

以上、ご参考になりましたら。

お礼

御回答ありがとうございました。興味深く読ませて頂きました。

１．DRAMなどのLSIは、n-MOSFETやフリップフロップetcの組合せで作ら　　れているんですよね…。LSIのような多数の素子を使用した回路の　　設計をされている方は本当にすごいなと思います。

３．ゲートである金属部と半導体部をコンデンサのようにして使用する　　ということでしょうか？色々な使い方があるんですね。