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ハイサイドFETのゲートON電圧について
- ハイサイドFETのゲートON電圧について調べています。電源電圧24VのフルNch mosfetモータードライバでは、nchmosfetのゲートON電圧が10Vですが、ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるという情報があります。
- ハイサイドFETをオンにするためには、ゲートに34Vをかける必要があると言われています。つまり、ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるということです。
- ハイサイドにおいては、ゲート耐圧が電源電圧+ゲートON電圧の値になるという特性があります。つまり、電源電圧24Vの場合、ゲート耐圧は最低34Vとなります。このようなFETは存在するのか、調査しています。
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- ohkawa3
- ベストアンサー率59% (1508/2538)
＞電源電圧に24Vを使用すると、ハイサイド側のゲートをONにするには34Vが必要になるわけですが、この場合、ゲート-ソース間耐圧が絶対最大定格が最低でも34Vの物を使用する必要がありますか？ ソース－ゲート間にかかる電圧は10Vなので、10Vに対して常識的なマージンを有する耐圧であれば問題ないと判断できます。
- ohkawa3
- ベストアンサー率59% (1508/2538)
＞電源電圧24vのフルNch mosfetモータードライバにおいて、nchmosfetのゲートON電圧が10Vとした時、ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるというのはあっていますか？ → 24V電源のマイナス側を基準電位とすれば、その通りです。 ＞その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか？また、そのようなFETは存在するのでしょうか？ → ゲート耐圧は、ソースーゲート間にかかる電圧に対して考慮するものであり、ご質問の場合はソースーゲート間にかかる電圧は10Vであって、この電圧を基準に常識的なマージンを考えれば十分です。
補足
ご回答ありがとうございます。 説明が足りていませんでした申し訳ございません。 長文になってしまい申し訳ありませんが、捕捉しますと。 現在、IR2302というゲートドライバを使用してフルブリッジモータードライバを作成しようとしています。最終的には電源電圧24Vのものを作成したいと考えています。 まず調査のためハーフブリッジを組み、電源電圧に7.2Vを使用して、ハイサイド、ローサイド両方のゲートへの出力を測定しますと、ローサイド側には7.2Vが、ハイサイド側にはブートストラップ回路があるため約14.4V出力されていました。 そこで、ON電圧が10VのMOSFETを使用したとして、電源電圧に24Vを使用すると、ハイサイド側のゲートをONにするには34Vが必要になるわけですが、この場合、ゲート-ソース間耐圧が絶対最大定格が最低でも34Vの物を使用する必要がありますか？ それともMOSFETのゲート-ソース間耐圧が30Vのものでも問題ないのでしょうか。 すでにご説明されていた場合、私の不勉強による不理解で申し訳ありませんが、よろしくお願いします。
- TIGANS
- ベストアンサー率35% (245/681)
読み間違いしていたようなので訂正です ＞その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか？ VGSSのことであれば、定格の１０Vしか必要無いはずですよね？ ＞ハイサイドにおいては、ゲート耐圧が、電源電圧+ゲート耐圧といった夢のような状態になるのでしょうか？ VGSSのことであれば、ソース電極の電位に依存しますね。
補足
ご回答ありがとうございます。 説明が足りていませんでした申し訳ございません。 長文になってしまい申し訳ありませんが、捕捉しますと。 現在、IR2302というゲートドライバを使用してフルブリッジモータードライバを作成しようとしています。最終的には電源電圧24Vのものを作成したいと考えています。 まず調査のためハーフブリッジを組み、電源電圧に7.2Vを使用して、ハイサイド、ローサイド両方のゲートへの出力を測定しますと、ローサイド側には7.2Vが、ハイサイド側にはブートストラップ回路があるため約14.4V出力されていました。 そこで、ON電圧が10VのMOSFETを使用したとして、電源電圧に24Vを使用すると、ハイサイド側のゲートをONにするには34Vが必要になるわけですが、この場合、ゲート-ソース間耐圧が絶対最大定格が最低でも34Vの物を使用する必要がありますか？ それともMOSFETのゲート-ソース間耐圧が30Vのものでも問題ないのでしょうか。 すでにご説明されていた場合、私の不勉強による不理解で申し訳ありませんが、よろしくお願いします。
- TIGANS
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＞ハイサイドをオンにするにはゲートに34Vをかける必要があるというのはあっていますか？ あっています。ONにはもっと低い電圧でなるだろうけど定格出すには必要。 ＞その場合ゲート耐圧は最低34VのFETを使用する必要があるのでしょうか？ はい。マージン持って２倍以上のもの使うのが普通です。 ＞そのようなFETは存在するのでしょうか？ なんぼでも存在します。 http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-08462/ ＞ハイサイドにおいては、ゲート耐圧が、電源電圧+ゲート耐圧といった夢のような状態になるのでしょうか？ ゲート耐圧 ＞ 電源電圧+ゲート駆動電圧 になります ゲート駆動電圧なんて１０V以下程度が多いから夢でもなんでもないですよ。
補足
ご回答ありがとうございます。 確認なのですが、 ゲート-ソース間にかかる電圧が10Vというのは、電源電圧が24vで、オン電圧が10Vなら、 ハイサイドFETのソースの電位が24vのため、ゲートに34Vを入力した場合、34-24=10で、ゲートソース間に10Vしかかからないということであっていますでしょうか。