Siロッドの直径制御

質問

半導体で主な結晶成長法に関して
Siロッドの直径制御に使用される2つのパラメータは何か教えてください。

回答No.2

myeyesonly · ベストアンサー

CZ法は、融液から引き上げる方法ですね。

この場合も確か種結晶は回転させながら引き上げますね。
引き上げ速度と回転速度が重要でしょう。

とりあえず参考になりそうなところで
http://www.tocera.co.jp/jpn/products/wafer/crystal.html
http://www.jpo.go.jp/shiryou/s_sonota/hyoujun_gijutsu/semicon_vacuum_tech/1_1_1a.htm

ＰＤＦファイルですが、
http://www.toshiba.co.jp/tech/review/2004/07/59_07pdf/rd01.pdf

といったところでいかがでしょうか。

回答No.1

myeyesonly

こんにちは。
フローティングゾーン法ならば、加熱体の移動速度と結晶棒の回転速度だと思います。

お礼

回答ありがとうございます。
CZ法の場合はどうなるのでしょうか？
解りましたら宜しくお願いいたします。
参考となるホームページがありましたら教えて下さい。