GAVA受容によるシナプス後膜に過分極が起る条件
こんばんは、下記問について、参考書に記載されている解答の一部(解法)が理解できません。
どなたか、さらに詳しい解説をお願いできませんでしょうか。
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【問】
表記の通り、抑制性神経伝達物質でGABAを受容したシナプス後膜ではClイオンの透過性が高まり、この時の膜電位はClイオンの平衡電位と理解できる。
あるシナプス後ニューロンの細胞内外のイオン濃度を測定して次の結果を得た。
Kイオン:細胞外濃度=4.0mM 、 細胞内濃度=80.0mM
Clイオン:細胞外濃度=100.0mM 、 細胞内濃度=【 A 】mM
GABA受容によってシナプス後膜に過分極が起こるためには【 A 】に示す細胞内Clイオン濃度はどのような範囲になるべきか、【 A 】≧20.0mMという記載方法を参考に【 A 】を求めよ。
【解】 Ex=RT/ zF ln【x】out/【x】in を用いる。
Clイオンが流入した時に過分極となる条件は【Kイオンの平衡電位≧Clイオンの平衡電位】であると考えられる。Clイオンに対してはz=-1であることに留意すると、この条件は
【Kイオン】out/【Kイオン】in≧【Clイオン】こんばんは、下記問について、参考書に記載されている解答の一部(解法)が理解できません。
どなたか、さらに詳しい解説をお願いできませんでしょうか。
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【問】
表記の通り、抑制性神経伝達物質でGABAを受容したシナプス後膜ではClイオンの透過性が高まり、この時の膜電位はClイオンの平衡電位と理解できる。
あるシナプス後ニューロンの細胞内外のイオン濃度を測定して次の結果を得た。
Kイオン:細胞外濃度=4.0mM 、 細胞内濃度=80.0mM
Clイオン:細胞外濃度=100.0mM 、 細胞内濃度=【 A 】mM
GABA受容によってシナプス後膜に過分極が起こるためには【 A 】に示す細胞内Clイオン濃度はどのような範囲になるべきか、【 A 】≧20.0mMという記載方法を参考に【 A 】を求めよ。
【解】 Ex=RT/ zF ln【x】out/【x】in を用いる。
Clイオンが流入した時に過分極となる条件は【Kイオンの平衡電位≧Clイオンの平衡電位】であると考えられる。Clイオンに対してはz=-1であることに留意すると、この条件は
【Kイオン】out/【Kイオン】in≧【Clイオン】in/【Clイオン】outとなる・・・質問部分
つまり
【Clイオン】in≦【Kイオン】out【Clイオン】out/【Kイオン】in=4.0×100.0/80.0=5.0
となるので
【 A 】≦5.0mM
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この質問部分(等号以右について)ですが、なぜ
≧【Clイオン】out/【Clイオン】in ではなく ≧【Clイオン】in/【Clイオン】out なのですか?
解りにくい文面で申し訳ありませんが、よろしくお願いします。
あと、この等式が成り立つ状態の意味も理解できていません、解りやすく解説いただけると本当にありがたいです。
よろしくお願い申し上げます。