npnバイポーラトランジスタの電流の近似など。。
私は、セラミックスなどに興味がある工学部の学生です。
しかし、後期試験で興味があまりない半導体の試験があり、すでに問題が開示されていて
解答をしていたのですが、詰まってしまいました。
友達もみんな同じところで詰まっていて、どうにもならない状態です。
悩んでいるところは
べース接地のnpnバイポーラトランジスタを考えている問題で
絶対値が2kT/q以上のべース電圧、コレクタ電圧を印加した際に
エミッタ電流とコレクタ電流はどういう近似が出来るかという事と
入力電圧の変化に対する出力電流の変化の比である
相互コンダクタンスがqIc/kT(Icはコレクタ電流です)となる事を確かめる事と、
カットオフ領域の際に、絶対値が2kT/q以上のコレクタ電圧がかかった時のコレクタ電流の近似と、
飽和領域の際、エミッタ、コレクタ電流はどういった近似が出来るか、
という部分です。
半導体に関する知識は、p,n型に対する最低限度の知識程度しかなく
さらに講義も分かりにくく、悩んでいます。
すでに、http://www.dt.takuma-ct.ac.jp/~tsuji/java/npn_tr/node3.html
といったウェブも見ているのですが
出来たのは、その題問の初歩的な部分のみでした。
はじめに挙げた問題はどうにか考え付いているのですが
既出のエミッタ電流・コレクタ電流の式に2kT/qを代入したら
eの乗数が-2になりました。ここからどう近似したらいいのか止まっています。
どなたか、よろしければアドバイスをお願いします。
補足
有難う御座います、よくわかりました。もし宜しければ、コレクターの不純物濃度を高くするとどうしてトランジスタとして機能しなくなるのか教えていただければと思います。コレクターからがべース側へ電子が拡散してしまうからでしょうか?(逆バイアスがかかっているのでそのようなことはないかもしれませんが・・・) 宜しくお願い致します。