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トランジスタのスイッチング作用についての質問
- トランジスタのスイッチング作用についての質問があります。正の入力電圧を印加し、NPNトランジスタを飽和させると、トランジスタはオンになります。
- トランジスタのスイッチング作用において、トランジスタがオンの状態ではコレクタからエミッタへ電流が流れます。
- コレクタからエミッタへの電流の流れは、エミッタからベースに自由電子が流れ、大半がベースを突き抜けてコレクタへ移動することによって起こります。
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私もトランジスタの中でどのような現象が起きているか説明はできませんが 単純に次のように考えることはできないでしょうか? (1)Vin→R→B→C→この後GND(0v)へ戻るルートがない。(閉回路が構成 されない)・・・・電流は流れない *トランジスタの内部でCとEは直接繋がってはいない。 *適切な例ではありませんが、トランジスタを可変抵抗器に置き換え、 BC間を全抵抗に、Bを可変用シュウ動子として中間位置に置けば閉回路 が構成できていなことが解ると思います。 (2)実験を伴いますが (2-1)RLを取り外した状態でCと0v間に抵抗を接続してこの抵抗の両端 電圧を測定する。 *電圧が発生するならB→Cへ電流が流れている。・・・(2-2)へ *電圧が発生しないならB→Cへ電流は流れていない。 この場合0.1V<BC間電圧降下(ダイオードのVf相当)かもしれない (2-2)相談者の提示する回路に戻って、Cにおける電流はRLを流れてくる 電流+B→Cへ流れる電流となるがB→Cへ流れる電流は逆方向であり、 B→Cへ流れる電流が相対的に小さければ流れないことになる。また、 極めて小さければネグレクトされることになる。(計算上も実測上も) 他の回答者の方々も相談者がすんなり納得できる説明に苦慮されているのではないかと思います。 実験結果に基づきご自分なりの見解(厳密には違っていても)として整理されてはいかがでしょうか。 申し訳ありません。私の早とちりで質問の内容を誤認していました。 以下に私なりの解釈を記してみます。(解釈の正誤は他の方に判定をお願いいたします) トランジスタ記号のC→E間にダイオード(仮想ダイオードです)を追加して 考える。 このダイオードの順方向電圧降下はIb依存性を持ちIb=0でVcc、飽和状態 でVce(sat)となる。 参考書等に記載されているトランジスタの模式図(コレクタ層・ベース 層・エミッタ層が直列に配置されたもの)とトランジスタ記号をあわせて みると、B→C、B→E間にダイオードがあることになり、ベースに電位が 与えられるとB→C間ダイオードが変質(特性が変わる)して電流が流れる 印象を受け、飽和領域ではB→C間ダイオードが無効になればVbe=Vce(sat) となると思いきや、現実はそうならないことから仮想ダイオードを追加 して考えて見ました。 また、質問者の方は参考書等に記されている「ベース層を突き抜けて電流 が流れる」を「ベース層を経由して電流が流れる」と考えておられるよう に感じます。C→E間に仮想ダイオードを追加して考えることでこの差が 解消されればスッキリすることを期待します。
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トランジスタに電流が流れるのは電圧のかけ方と、ベースの薄さが味噌になります。 ?B-E間に電圧をかけると、Eの電子は大量にベースに流れ込みます。 ?ベースはかなり薄いため、流れ込んだ電子はそのままコレクタ側に突き抜けます。 ベースに電子が大量に集まることにより、コレクタ側に正孔が集まり、ベース側から ←←←←かなり重要な要素 Cに電子の移動を容易にしている。 ?C側に電子が入ったら、Cに接続している+電圧に電子が引かれていきます。 ←←←←電圧のかけ方が重要な要素 ??~?の工程を繰り返すことで、トランジスタは電流を流します。 ちなみに、電気を扱う人には常識だと思いますが、電子の流れは、電流の向きとは反対です。 ちょっと舌っ足らずでしたね。 上記説明より、ベースとコレクタの電圧値が電流を流すのではなく、 電圧を掛ける向きにより、電流が流れる言うのがトランジスタの動作の鍵になります。 簡単に言うと、ベースは薄い、そのため、勢いよくベースに流れ込んだ電子はコレクタに突き抜ける 。突き抜けた電子はコレクタにかかっている+電圧に引かれる。 トランジスタを作る上で一番重要だったのはベースの薄さだったのかもしれませんね。
お礼
回答ありがとうございます。お礼が遅れて申し訳ありませんでした。 流れは理解できました。私の理解している動きと同様で安心しました。 あとは、VCE(sat)やVBEの電圧とどう関係しているかがわかればと思います。 さらに調べてみます。ありがとうございました。
下記のページなど参照願います。 pn接続の方向が電流をせき止める鍵となります。
お礼
回答ありがとうございます。お礼が遅れて申し訳ありませんでした。 参考ホームページを拝見しました。他にも興味がある項目があり、勉強になります。これらをもとに今一度整理していきたいと思います。ありがとうございました。
NPN TrがON状態で、Vbe=約0.7V > Vce=約0.1V で、でなおかつ ベース->コレクタ方向は、PN接合の順方向なのに、どうして ベース->コレクタ方向へ電流が流れないのか ・・・確かに不思議な現象ですね。 ここでは同時に、コレクタ->ベース方向へ、PN接合の順方向の逆方向に なぜ大電流が流れてしまうのか・・・この電流が増幅されるのも 不思議な現象ですね。 これらの不思議な現象は、発明者も驚いてひどく興奮したでしょうね。 この現象はPN接合ダイオードを2本接続したモデルでは説明できないと 思われます。 現象論的には、この現象を説明するTrの等価回路というものが考えられて いて、簡単なモデルでは、ダイオード2本と定電流源のものがあったと 思います。つまり実際には存在しないのに、電気エネルギー源がTrには あるかの如く等価モデルが考えられています。 ベースにバイアス電流を少量流すだけで、コレクターからベース層を 突き抜けてエミッタへ大電流が流れる現象の定性的な説明は、 私ものんきさんと同じように高校3年の物理IIのレベルでは そこまでしか習わないと思います。 これ以上の知識は電子工学のもっと深い知識が必要なので、 物性論と呼ばれる学問の書籍を調べるのが良いと思います。 ここは製造業の人が多いと思われるので、OKWAVEの学問、物理あたりで 聞くと、詳しい人がいるかもしれません。 私もベース層でいったい何が起こっているのか知りたいところです。 誤記訂正です 誤り: >ここでは同時に、コレクタ->ベース方向へPN接合の順方向の逆方向に なぜ大電流が流れてしまうのか 正: ここでは同時に、コレクタ->ベース層->エミッタの方向へPN接合の 順方向の逆方向になぜ大電流が流れてしまうのか >NPN TrがON状態で、Vbe=約0.7V > Vce=約0.1V で、でなおかつ >ベース->コレクタ方向は、PN接合の順方向なのに、どうして >ベース->コレクタ方向へ電流が流れないのか >・・・確かに不思議な現象ですね。 Vcc=5V 2N2222で計算したところ、TrがON状態で、 Vbe=約0.7V > Vce(sat)=約0.1V と書いたのですが、 この条件でVbe-Vce=0.6Vなので、 ベースからコレクタへ電流が流れるには、Vbeが約0.1Vほど足りない故、 ベース->コレクタ方向へ電流はぎりぎりで流れることが出来ない ・・・と説明できるかも。 自信はないけど。 ただ・・・すばり教えてより、自分で調べ、考えることが大切ですよ。
お礼
回答ありがとうございます。お礼遅れて申し訳ありません。私と同じように疑問に思っている方がいらっしゃってホットしています。 OKWAVEですか。まだ利用したことはないですが、やはり専門家が利用されているのですね。今度同じ質問を投げかけてみようと思います。ありがとうございました。
BからEに流れることにより、CからEに流れます。 Eは0VですのでBからEは高い電圧から低い電圧へ Cも0.4VありますのでCからEは高い電圧から低い電圧へということになります。何も矛盾もありませんが...
お礼
回答ありがとうございます。お礼が遅れて申し訳ありません。 確かにEを基準に考えると問題ないのですが、N(C)→P(B)→N(E) の流れの中で、VCE(sat)が0.4V、VBEは0.7Vと考えるとなんか 変だなと思ってしまうのです。もう少し自分でも考えてみます。
お礼
回答ありがとうございます。お礼が遅れて申し訳ありませんでした。 (1)の「閉回路が構成されない」はなるほどと思いました。 (2)の実験はまだ試していませんが、折を見て試してみます。 自分で考えることが将来的にも大切と考えているので、手を動かして体験することも重要ですね。ありがとうございました。