素子定格の設計について

質問

下図のようなHブリッジセルにおけるキャパシタ電圧が3kV程度のとき、各IGBTの定格はどのように設計すればいいのでしょうか？
この場合は4.5kVもしくは、6kV程度が適切ではないかと思うのですが

どなたかご教授よろしくお願いします

回答No.1

bogen555 · ベストアンサー

ここの「3. ディレーティングの考え方と方法」に説明があります。
http://www.semicon.toshiba.co.jp/shared/reliability_pdf/bdj0128h_chap06.pdf
一般には、「電圧: 絶対最大定格の80%以下」で使用していますが、
要求信頼度で決定されるので、素子メーカーから信頼性データを戴いて決定されたらどうでしょうか？