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不純物添加の仕方について
ZnO結晶にアルミナを添加したいんですけど上手く添加できる方法ってありますか？ できれば、添加量や添加時の温度など詳しいことをお願いします。
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え～……ＺｎＯですか…… 思いっきり研究してました(苦笑） んで、質問は…… ほへ……？ あなたが持っている装置によります（＾＾； スパッタ装置を使う手もあるし、ＣＶＤとかレーザーアブレーションとか イオン注入とかいろいろあります。 膜形成をする場合の基板温度は300～500℃くらいが一般的なようです。 ゾル・ゲル法では難しいかも知れません。 炉しかないなら単純にＺｎＯにアルミニウムを混ぜ込んで焼く。 温度はＺｎＯの融点の2/3くらいの温度が適温だったはず……経験則なのですがね。 ああ、溶かせるなら溶かしたほうがいいやも知れない。 濃度は5％も添加できないんじゃないかな？ とりあえず、どこが問題なのか詳しく教えてください。
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- aruberihi
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回答No.2
うーん、条件が振れないのですか…… ところでnoapatoさんは研究者の方ですか？ ZnOにAlを添加する研究に関する論文はごまんとあるはずですが…… まずは論文を確認した方が宜しいかと存じます。 まあ、参考までに 実験条件は基本的にLiでの条件で良いかと思います。 焼成温度を上げるとかすれば拡散時間が短くなると思いますが…… 私はスパッタで膜を作っていたのですが固溶限界は1％～5％くらいだったはずです。 それでは
補足
ZnOを取り扱っていたことがあるんですね。心強いです!さて、まず問題としては装置が電気炉しかないと言うことです。それでZnO多結晶にAlを添加してZnOの抵抗値を下げたいのが目的です。Liを添加して抵抗値を上げることには成功しています。その方法はリチウム水溶液にZnO多結晶を浸して900℃で100時間加熱拡散する方法を使っています。Alを添加する方法も同じ方法で良いとは思うのですが、時間があまりなく条件を探している余裕がないのです。そこで細かな条件を皆様にお聞きした次第です。どうぞよろしくおねがいします。