PN接合で、逆バイアスをかけるとなぜ空乏層が広がる

質問

PN接合で、逆バイアスをかけると空乏層が広がるのは、空乏層内のドナーイオンとアクセプタイオンが増えるからだと思いますが、それらのイオンがなぜ増大するのかそのメカニズムがわかりません。
順バイアスの場合に、空乏層がせばまるのは空乏層内で上の両イオンが減少するからだと思いますが、その減少するメカニズムも知りたいです。

回答No.1

shintaro-2

>それらのイオンがなぜ増大するのかそのメカニズムがわかりません。
>順バイアスの場合に、空乏層がせばまるのは空乏層内で上の両イオンが減少するからだと思いますが、その減少するメカニズムも知りたいです。

メカニズムは、電子が正極側に、ホールが負極側に引かれると定義したからです。
空乏層はキャリアが存在しない場所であって、
半導体内のイオンが増減するわけではありません。

　電子が過剰な状態がｎ型、電子が足りず正孔が発生しているのがｐ型です。
　ＰＮ接合に逆バイアスを印加すれば、それぞれのキャリアが電源側に抜かれて新たに供給されないので空乏層が広がります。

　順バイアスを印加すれば、空乏層がなくなり電流が流れるだけで、空乏層が狭まるわけではありませんし、イオンが増減するわけでもありません。

補足

おっしゃっている内容が、わたしが学習したものとだいぶ異なるので・・・。
ただ空乏層は伸び縮みするものであるということは事実だと思いますが。