シリコンのパワーデバイス

質問

大手電機メーカから発表されているシリコンのパワーデバイスIGBTとMOSFET両方について調べています。素子の耐圧とアクティブ領域を考慮した特性オン抵抗を調べたいのですが良い文献やデータシートはございませんでしょうか。
宜しくお願い致します。

回答No.1

fujiyama32

富士電機の半導体であれば、次のURLをクリックして参考にして
ください。

[パワー半導体/富士電機]
http://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/index.html
http://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/products/index.html
http://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/technical/index.html
http://www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/catalogs/index.html

補足

ご回答ありがとうございます。
ですが単位がΩ・cm2である特性オン抵抗のあたいは記されておりませんでした。無知で申し訳ないのですが、計算の方法などお教えいただけると幸いです。