【緊急】半導体に関する課題

質問

大学で出された半導体に関するレポート問題がわからなくて困っています。分かる人がいらっしゃったら是非教えてもらえないでしょうか。
以下課題内容

１．半導体の特徴は不純物の導入によってその抵抗が大きく変化することと、温度依存性が金属等とは異なる振る舞いを示すことである。図（添付画像）に示すようなｐ型の半導体（Eg=2 eV、Ea=0.2 eV、Na=10^20 m^-3）における温度依存性において、
1)フェルミ準位の振る舞いと　2)正孔濃度の振る舞いについて、
a)真性領域　b)枯渇領域　c)不純物領域　に分け、各々の領域におけるバンド図を示しながら説明せよ。

２．シリコンのp-n結合において、ドナー濃度をNd、アクセプタ濃度をNa、真性半導体の濃度をni、ボルツマン定数をｋ、温度をTとするとき、接合して平衡状態になったときのバンド図を示し、発生する内部電圧を表す式を導出せよ。次に、p-n接合に順バイアスと逆バイアスを印加したときのバンド図を示して、ダイオードが整流特性を示す理由を説明せよ。

回答No.2

c80s3xxx

というか，教科書にそのまま出てるって．
そもそもレポート課題としても，ほとんど意味がない．持ち込み不可の試験ならともかく．
あえていえば，教科書から写してくるだけで誰でも書けるだろうというような，救済措置的レポートか．

回答No.1

yasuhiro1967

人に教えて貰って課題をクリアして意味があるのでしょうか？
同じPCを使って調べるのであれば、簡単に他人に解答を求めず、
それぞれの要素を検索し、自分なりの解答を見つけるべきでは？

何のために質問者さんは大学に通っているのでしょうか？