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シリコンデバイスの耐熱性

シリコンでできたデバイス(ICやセンサ)の動作温度は数十から100℃ぐらいまでで、耐熱性を向上させるにはワイドバンドギャップ半導体を使うと人から聞きましたが、バンドギャップと半導体の動作温度との関係が分かりません。どなたか教えていただけないでしょうか? また、ワイドバンドギャップ半導体の例として何があり、それぞれの動作温度は何度ぐらいなのでしょうか?

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回答No.1

管理者より: 同等の質問があるのでそちらをご参照下さい

参考URL:
http://www.okweb.ne.jp/kotaeru.php3?q=261563

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