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トランジスタとFETについて
トランジスタとFETについて それぞれの出力(Vo)は トランジスタ:ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V FET:RDS(ON抵抗)に流した電流分、電圧降下するので+5V-RDS×電流 この考えでよろしいのでしょうか?
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トランジスタ回路について 示された回路はエミッタフォロア回路でゲイン1倍のバッファアンプとして動作します。スイッチング動作はしません。 Vinが0.6V以上のときVoutはVin-Vbe(約0.6V)となります。 >コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか? どういう動作をさせたいのかよく解りませんが スイッチング動作させリレーやLED(負荷)などをON/OFFさせたいのなら、それらは電源とコレクタ間に配置しエミッタはGNDに接続します。
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No.1,2 です。 No.3さん>示された回路はエミッタフォロア回路で 無知な回答ですみませんでした。 http://bipcircuits.web.fc2.com/bip_basic/collecter/emitfollow2.html
>PNPトランジスタと間違えていました >コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか? いろんな使い方、中には突飛なのもあるので否定しませんが、 エミッタ接地なら普通コレクタ側に入れますね。 B-E 間にVin を与えるのも電圧が明らかになりますし。
>トランジスタ:ONしたときVOは+5VからB-E間の電圧降下により約4.3V 違います。Vce(sat)という、CE間がONの時のON抵抗による電圧降下 (サチュレーション電圧などとも呼ばれます。ごくわずかで、 0.03Vなどという数字です)を 電源電圧から引いた電圧がVo に 出てきます。ほとんど5Vに近い電圧です。 B-E 間の電圧って、 B は Vin側 につながる端子ですから、 電流経路としても B-E間電圧を引くのっておかしいですよね。 ところで、アースの直前にある四角形は抵抗ですか? ちょっと見慣れない繋ぎ方ですね。これでトランジスタのON/OFF はきちんとできるのでしょうか。 FET の方は自信ありませんが、いいと思います。
補足
>電源電圧から引いた電圧がVo に 出てきます。ほとんど5Vに近い電圧です。 スッキリしました。ここが聞きたかったです。 PNPトランジスタと間違えていました コレクタ側に負荷をつけるという考え方でよろしいのでしょうか?
補足
回答ありがとうございます 具体的なことをまた質問したいと思います。 エミッタフォロアについて勉強してみます。