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パワーMOS FETを使用した低電圧スイッチングの方法とは?
- パワーMOS FETを使用してDC1.2Vの電圧をON/OFFする方法を模索しています。リレーではなく半導体デバイスを使用する理由と、具体的な使用方法について知りたいです。
- 電流8Aの抵抗負荷を制御するために、パワーMOS FETを検討しています。DC1.2Vの電圧で動作可能なデバイスがあるのか、また駆動にはレベル変換回路が必要なのかも知りたいです。
- パワーMOS FETを使用した低電圧スイッチングについて詳しく教えてください。DC1.2Vの電圧を制御するための最適な回路構成や駆動方法について教えていただけると助かります。
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>ON/OFFさせる電圧がDC1.2V 多分、制御する側の電圧と制御される側の電圧がごちゃごちゃになっていないでしょうか? 制御される側の電圧は別に0.6Vでも1.2VでもOKですよ 制御する側の電圧がポイントですが、3V以上の出力を用意できるのであれば ゲート電圧2.5V以上から、というようなFETが使えるはずです 一例 http://documentation.renesas.com/jpn/products/transistor/rjj03g0707_hat2044rds.pdf >FETを駆動するためにトランジスター等でレベル変換も必要でしょうか? レベル変換により4V以上の出力を用意できるのであれば使えるFETの候補は広がるので入手はしやすくなるはずです、 ただしレベル変換回路も設計次第ですが電力を消費しますので、長時間OFF出力待機が必要な装置かどうかなどによっても"最適"は変わってくるはずですよ。 それはともかく、電源として4.8V系と1.2V系を別々に用意している前提ですよね 1.2V-8Aの負荷を見直して 2.4V-4A 4.8V-2A 等にすると言うような選択肢は無しですか?
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- 86tarou
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No.1さんの回答に追加で… ゲート電圧が低電圧からONするFETでも、低い電圧ではON抵抗(ドレイン・ソース間)がそこそこ大きかったりします。負荷に8Aも流せば、FETでの電圧降下が1.2V以上になることも十分考えられます。例えば、ON抵抗が0.15Ωならちょうど1.2Vになるので全部FETに掛かり、全く電流を流せないことになります。1.2Vで8Aも流すとなると、相当ON抵抗が低くないと使用に耐えないのではないでしょうか(出力側に何V必要?)。なので、FETはゲートON電圧だけで選定するのではなく、ドレイン・ソース間抵抗も計算してFETでの損失も考えた方が良いですよ。
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ご回答ありがとうございます。 おっしゃる通りだと思います。電圧降下を考えると、1.2Vでは現実としては難しいと思いました。とても参考になりました。ありがとうございました。電圧降下を考えなくとも良いリレーのような半導体デバイスをいろいろ探しているのですがなかなか無いものですね。4.8Vを元電圧として、PWM制御にするように考えてみたいと思います。 まことにありがとうございました。
お礼
まことに的確なご回答ありがとうございました。 >制御される側の電圧は別に0.6Vでも1.2VでもOKですよ この部分が知りたかったのです。 VGSが4Vの物を手に入れて確認してみたいと思います。 とても参考になりました。 負荷は白金のヒーターエレメントなので規定電流以上流れるとすぐに切れてしまいます。電圧を上げる場合は、電流が流れすぎないように、PWMで実効値の制御をしたいと思います。 これからも宜しくお願いいたします。