抵抗内蔵トランジスタのエミッタフォロワについて

質問

こんにちわ。
添付画像のような回路を分析してまして出力電圧（エミッタ抵抗両端電圧）が分からず苦慮してます。
設計資料では2kΩと10kΩの抵抗で5Vを分圧してベースに与える単純なエミッタフォロワを考えていたようですが、
実回路に採用されてるトランジスタはB-E間に抵抗が内蔵されている型で、この抵抗を通して電流ルートを形成してしまうので、ベース電圧が設計資料通りの分圧電圧にならないと考えています。
ですが、これを計算で説明できるところまでは至れませんでした。

ご助言いただければ幸いです。

回答No.1

noname#252332

2kΩ抵抗、10kΩ抵抗、ベースの交点をキルヒホフの法則でとけばいいんじゃないですか。この交点に対して、2kΩから流れ込む電流、10kΩに流れ出す電流、ベースに流れ出す電流の和が0です。

【ベースに流れ出す電流】

　負荷が無い場合出力電圧は、
　Vo=(Ic+Ib+(Vbe/5000))*1000
　(Vbeはベースエミッタ電圧約0.6V)

　トランジスタの性質から、
　Ic=hFE*Ib

　よって、
　Ib=(Vo/1000-Ve/5000)/(hFE+1)

【2kΩから流れ込む電流】

　Vb=Vo+Vbe

　I2k=(5-Vb)/2000
　　=(5-Vo-Vbe)/2000

【10kΩから流れ出す電流】

　I10k=Vb/1000

【キルヒホフの法則より】

　I2k-I10k-Ib=0

　こんな感じで。方程式をいじるのは私は30年ぶりなので確認してください。

お礼

おかげさまで解くことが出来ました。

早々の回答をありがとうございます。大変助かりました。m(_ _)m