MOS_Trの帰還容量（Crss）でゲートに電流が流れる？

質問

お疲れ様です。
早速ですが、MOS_Trの帰還容量Crssについて質問があります。

回路図にMOS_Trを配置した時、Crssを通じて、
ドレイン側の信号が入ってくるあるのでしょうか？
つまり、ドレインからゲートに向けて電流パスが形成されるのでしょうか？
もし、形成される場合、回路設計時に気をつけておくことを
教えて頂けたらうれしいです。

回答No.1

rabbit_cat · ベストアンサー

ゲート・ドレイン間の寄生容量のことですか？
ゲート・ドレイン間の寄生容量のせいで、ドレインからゲートに信号が入ってきてしまいます。
特にＦＥＴをソース接地のアンプとして使ってる場合だと、ゲート・ドレイン間の寄生容量は、ミラー効果によって、アンプの高周波特性をかなり劣化させます。
これを避けるために、ソース接地のトランジスタと、ゲート接地のトランジスタをカスコード接続させて、ソース接地のトランジスタのドレインの電位があまり変動しないようにする、なんてことをよくやります。

お礼

早速の返答有難うございます。
カスコード接続させて電位変動を抑えるのですね。
とても納得できました。
思い切って質問をさせて頂いて良かったです。

補足

MOS_Trの帰還容量Crssは、ゲート・ドレイン間の寄生容量のことです。
rabbit_catさんから納得のいく回答が得られました。
しかし、寄生容量の対処方法について他にアイデアがありましたら、
お手数をお掛けしますが、書き込みをお願いします。
回路を色々な方向で考えられるエンジニアを目指しています。