NchMOSFETでソースからドレインに電流を流す

質問

NchMOSFETの場合、ドレインが電源側でソースがグランド側で、
ゲート-ソース間に閾値電圧を印加すると、ドレインからソースに電流が流れると理解しています。
ただ、MOSFETは対称に出来ていて、ドレインとソースは逆にできると知りました。
以下のページにあるように、ソースからドレインに電流を流せるんですよね。
http://www.necel.com/ja/faq/f_fet.html#0301

この場合、ソースが電源側でドレインがグランド側になると思うのですが、
この場合もゲート-ソース間に電圧を印加するのでしょうか？
それとも、ゲート-ドレイン間でしょうか？

ある回路図で、NchMOSFETのドレインが接地されていて、ソースが電源につながっていました。この回路図の説明には、
「このFETを駆動するには、ゲート-ソース間に電源電圧+閾値電圧を印加する必要がある。」と記載されておりましたが、
理解できなくて、質問させていただきました。
この回路図の説明はあっているのでしょうか？

回答No.1

sanori · ベストアンサー

元々のソースをドレインに読み換え、元々のドレインをソースに読み換えればいいです。

元々は、
ソースがＧＮＤで、ゲートとドレインは、そのＧＮＤに対して電圧を印加。

それを読み換えれば、
ドレインがＧＮＤで、ゲートとソースは、そのＧＮＤに対して電圧を印加
です。

「このFETを駆動するには、ゲート-ソース間に電源電圧+閾値電圧を印加する必要がある。」
のほうは、よく分かりませんが、
閾値電圧が異なるＭＯＳＦＥＴ同士の電流駆動能力を比較するとき、
通常、ゲート電圧は　電源電圧＋閾値電圧　にします。
本来同じ駆動能力でも、同じゲート電圧を印加したのでは、閾値電圧が大きいほど電流が少なくなるというハンディがあるので、平等な比較にならないからです。
そのことと何か関係あるのではないでしょうか。

補足

早速の回答ありがとうございます。読み替えのほうは理解できました。
>閾値電圧が異なるＭＯＳＦＥＴ同士の電流駆動能力を比較するとき、通常、ゲート電圧は　電源電圧＋閾値電圧　にします。

電流駆動能力を比較するものではありません。
ソースにつながっている電源が所定範囲内で変化するので、そのMOSFETをオンするために、
チャージポンプを使ってゲート電圧を、ソース電圧の変化幅の最大値+閾値以上にする。みたいです。
素人目には、オンするためには、ソース電圧ではなく、
GNDにつながっているドレイン電圧が関係すると思うのですが？？？
ドレイン電圧(0V)+閾値以上のゲート電圧でオンしますよね？(ソース-ドレイン電圧も関係するでしょうが)

回答No.2

motden

「このFETを駆動するには、ゲート-ソース間に電源電圧+閾値電圧を印加する必要がある。」と記載されておりましたが、
理解できなくて、質問させていただきました。
この回路図の説明はあっているのでしょうか？
上記の説明は正解です。
MOS　FETの動作はゲート、ソース間の電圧でドレイン、ソース間のON、OFF状態を制御します。
NECの説明を回路図に書いてみましょう。ゲート、ソース間はプラスに印加されますのでドレイン、ソース間はONになります。

電源のマイナス端子はグランドとは限りません。今回の場合ソースを０Vにしますとドレインはマイナス電位になり、ソースからドレイン方向に電流が流れます。

今回のご質問の回路はスイッチングレギュレーターでしょうか。