質問はケミカルエッチングなんですからドライエッチングはズレているのではないでしょうか。「レンブラント」に至っては画家であって、エッチングの研究者じゃないですし。
MiJunさん、あなた質問の趣旨が本当に分かってます?
的外れな回答を投げる一方で「補足要求」にチェックしたのでは質問者が余計困ってしまうだけですよ。
さて本題、亜鉛面と酸素面ではエッチングの挙動は異なると考えてよいと思います。
例えば、GaAsなどの化合物半導体のウェットエッチングでは面方位によっておよそ
{110}>{111}B>{100}>{111}A
の傾向のようです。もちろん反応律速という条件が付きます。(生駒、河東田、長谷川「ガリウムヒ素」、丸善(1988)) また材料、エッチャント、エッチング条件によって多少の入れ替わりもあるでしょう。
上記の不等式を見るとGa面とAs面でかなり差異があるようですね。表面を覆っている原子の種類が違うということを考えればむしろ違って当然のようにも思えます。
酸化亜鉛の場合にどちらが速いかまでは私は知りませんが、いずれにしてもエッチング速度は違うと予測されます。
結果は少し実験をしてみれば簡単に分かりそうですね。
お礼
詳しい解答ありがとうございました。 早速、硝酸エッチングをやってみたいと思います。