ショットキーダイオードの作製について

質問

ショットキーダイオードを作製したいのですが、与えられた課題として、
・3時間で作る
・ｎ－SiとPtを使う
・Siの上にPtをつけて、下はPtじゃなくてもいいらしい
・イオン注入はしない
です。
現在、整流特性やオーミック特性について勉強しているのですが肝心の作製方法がまったく浮かんできません。
いい方法があれば教えていただきたいです。

回答No.1

gandhi- · ベストアンサー

不思議な課題ですね、時間制限があるとは…。
普通なら、真空蒸着でメタルを堆積するのが一般的です。
超高速でフォトリソして、蒸着器入れて、真空度をさほど気にせず
メタルを飛ばせば、３時間以内で可能かもしれません…。

もしかすると、電解メッキ法を使えってことなのかも知れません。
Ptならメッキで電極形成できます。
メッキ液とバイアスがかけられる電源があれば簡単に電極形成が出来ます。

「下はPtじゃなくてもいい」とのことですが、これは裏面にオーミックになるメタルを
付ければいいということだと思います。
Siに対して何がオーミックになるかは調べれば簡単に見つかると思います。

イオン注入はそもそもする必要がないでしょう。
というより、してしまうと逆にショットキー性が失われます。
イオン注入は良好なオーミックコンタクトを得るときに使ったりします。