プロセスの特長を教えてください

質問

0.35umと0.25umでのプロセス、構造の違いを教えてください。
また下記プロセスについてもお願いします。
0.25umと0.18umの違い、0.18と0.13umの違い　0.13umと90nmとの違い。

回答No.1

sanori

だいぶ前ですが、この関係の仕事に携わったことがあります。
あまり細かいことまではわかりませんので、大雑把な説明に留めます。

フォトリソグラフィは、
０．３５μｍではi線（波長 365nm）で間に合いました。
０．２５μｍ辺りから、エキシマレーザが必要になりました。（KrFエキシマレーザー（波長 248nm）、ArFエキシマレーザー（波長 193nm））

配線層間の絶縁膜に関しては、０．２５μｍ辺りからＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）による平坦化が必要になりました。

イオン注入については、ＭＯＳＦＥＴが微細になるにつれ、浅くて横にも広がらないソース・ドレインの不純物層を形成するために、低エネルギーの注入が必要になりました。

不純物層の活性化は、０．３５μｍまでは、たとえば、８００℃とか８５０℃とかに温度設定された炉に入れて２０分間、というような感じでやっていました。
しかし、０．２５μｍ辺りからは、不純物層をなるべく広げないように、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal）という、１０００℃ぐらいの熱を一瞬だけかけるやりかたがされています。

おそらく、この手のことは、ネットで検索すれば、どこかの企業か大学のプレゼンテーション資料などが引っかかると思いますが。