110nmCMOSプロセスのSalicide

質問

110nm(程度の)CMOSプロセスのSalicideについて質問です。

Gate電極をSalicideにした場合としない場合について、
電流はどのくらい異なるでしょうか？
(計算式があれば、値と共に教えて頂けると嬉しいです)

また、他に利点はありますでしょうか？

最後に「Salicide」と「Silicide」は違うものでしょうか？

よろしくお願いします。

回答No.1

TIGANS

MOSTrの電流特性は大まかにゲート膜圧とゲート順位と不純物プロファイル形状で決まるのでゲートをシリサイデーションするかはMOSの直流特性には関係ありません。
ただしゲートのシリサイデーションを行うことでゲートの抵抗が大きく下がるためゲート容量の充放電時定数を下げる事ができ過渡特性の高速化に寄与します。