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MOSFETのgm-Vgs特性
MOSFETのgm-Vgs特性のグラフを書きたいのですが、 gmの求め方が分かりません。分かっている値は、Id,Vds,Vgsです。 お願いします。
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>>> そのときのgmは求まりましたが、gm-Vgs特性のVgsの値はどうすればいいんですか。 Vgsは横軸です。 一例を挙げますと、 Vgs=0~0.1のときのΔIdを、Vgs目盛が0.1のところの真上にプロット Vgs=0.1~0.2のときのΔIdを、Vgs目盛が0.2のところの真上にプロット Vgs=0.2~0.3のときのΔIdを、Vgs目盛が0.3のところの真上にプロット ・・・・・ あるいは Vgs=0~0.1のときのΔIdを、Vgs目盛が0.05のところの真上にプロット Vgs=0.1~0.2のときのΔIdを、Vgs目盛が0.15のところの真上にプロット Vgs=0.2~0.3のときのΔIdを、Vgs目盛が0.25のところの真上にプロット ・・・・・ 本当は後者のほうが良いのかもしれませんが、通常、前者のほうを採用します。 これにて退散・・・
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- sanori
- ベストアンサー率48% (5664/11798)
仕事でgmのグラフを作ったことがありますけど、 私も皆も、対数グラフでなく普通の等間隔目盛でしたよ。
- sanori
- ベストアンサー率48% (5664/11798)
gm = ΔId/ΔVgs 単位はS(ジーメンス=Ωの逆数)やμSなど です。 当然ゲート幅に比例してIdが大きくなるので、 規格化という意味で、ゲート幅で割り算し、mS/mm の単位で表記する例が多いです。 おそらく、0.1V刻みとかで測定されているのでしょうから、 例えば0.1V刻みであれば、Vgsが0.1V増えるごとにIdがどれだけ増えたかがgmなので、 今の区間と前の区間とでIdの差を引き算で求めれば、それがΔIdであり、 すなわち、ΔId/0.1 がgmになります。 gmは一定ではなく、Vgsによって変わりますが、gmの最大値のことをgm-maxと言います。
補足
そのときのgmは求まりましたが、gm-Vgs特性のVgsの値はどうすればいいんですか。
- rabbit_cat
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何が疑問なのか、いまいちよくわかりませんが。 gm = d(Id)/d(Vgs) です。 つまり、Vgs - Id のグラフを描いて傾きを求めればいいです。
補足
すみません。もうひとつ聞きたいことがあるのですが、 Vgs - Id のグラフは片対数グラフで描くのが普通ですか。
お礼
ありがとうございます。とても助かりました。