MOSFETとIGBTの容量特性と温度の関係

2008/09/20 09:35

このQ&Aのポイント

MOSFETやIGBTのCoss、Ciss、Crssといった容量特性は、温度によって変化します。
一般的に、温度が上がるとMOSFETやIGBTの容量は大きくなります。
この特性は、ダイオードの接合容量にも同様に見られます。

noname#230358

電子部品・基板部品
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noname#230359

2008/11/09 14:45 回答No.2

ご質問から時間が経過してしまいましたが，自分自身でも気になっていたので実際に測ってみました。手元にあったパワーMOSFET(2SK1114)を加熱装置に取り付けて，ゲート容量（DS一括対G間）を無バイアスで測定しました。結果は，１℃あたり０．０３％程度の正の温度係数でした。（25℃で2477pだった容量が125℃では2550pFまで増加しました）前の回答の参考URL中に記載されていたと思いますが，MOSFETのスイッチング動作は温度によって影響をうけます。その原因のうち，容量の温度変化もその一部に当たると思いますが，主要な原因ではないということが，今回の測定結果からも示すことができると思います。ダイオードの接合容量は，ＰＮジャンクションに逆バイアスをかけた状態における空乏層の厚さと誘電率が容量を決めますので，MOSFETのシリコン酸化膜の容量とは傾向が異なることと思います。　