分光化学系列と配位子場分裂 高スピンか低スピンか？
只今錯体の勉強をしています。
配位子場理論において、金属と配位子の軌道の相互作用によって、配位子場分裂（Δ）することはわかりました。この時の「エネルギーΔ」と、電子が同一軌道にスピン対をつくって入る際の「電子間反発エネルギー」の大小により、金属のｄ軌道の電子配置が高スピンになるか低スピンになるか、理解することはできました。
配位子場分裂（Δ）の大きさは、分光化学系列に則った配位子の違いによるものと記憶しています。
また一般に第一遷移金属元素に比べ第二、第三の方が低スピンになると教科書（シュライバーよりかなり大まかです）には書いてありました。
ここで疑問なのですが例えば、[Co(en)3]3+という錯体について考えたとき、Δ及び電子間反発エネルギーの具体的は値、または大小関係が分からなくても、分光化学系列と第何遷移金属といった情報だけで、Coのｄ軌道の電子は高スピン、低スピンどちらか分かるものなのでしょうか？
つまるところ、金属の種類ごとに、分光化学系列で真ん中（H2O）辺りより左側の配位子は低スピンになる～といったaboutな予測はできないのでしょうか？
また、もう一点、分光化学系列は大まかにC＞N＞O>Xとなっていますが、なぜでしょうか？配位子と金属のπ軌道の相互作用という面では理解できましたが、以下の説明がわかりません。
「配位子の電気陰性度が増加し、金属にσ供与するエネルギー準位が低下するので、この軌道と金属のσ対称性のeg*軌道とのエネルギー差がC,N,O,Xの順に大きくなり、その結果軌道相互作用が小さくなってΔが小さくなる」
大変長く、またわかりにくい文章となってしまいましたが回答お願いします。
補足
説明不十分ですいません。 Vが配位してOが軸配位子となっています。 Vにd電子が一つ入った錯体となります。 ちなみにESRでは、d軌道のどの軌道に入っているかは特定できないのでしょうか？