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熱活性化エネルギーって何ですか？（半導体）
熱活性化エネルギーって何ですか？ バンドでいうとどことどこの順位の間のエネルギーを表しているのですか？だれか教えてください。調べたけど、結局何を表しているのか分かりませんでした。
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真性半導体なら禁制帯幅に相当するということでしょう． 不純物半導体なら，n型なら平均的なドナーレベルと伝導体の底の差にあたるということになりますかね．p型なら価電子帯の頂と平均的なアクセプターレベルか． 基本的に伝導度 σ は σ=neμ で表わされます． μはキャリア移動度，e はキャリア電荷，n はキャリア密度です． 半導体の場合，n が n=n0×exp(-E/RT) の形で変化し，これが伝導の温度依存性の大半を支配します．その結果，伝導の活性化エネルギーは概ねキャリア密度の温度変化を示す Boltzmann 因子のなかの活性化エネルギーに相当します．あとはこの E が半導体のどういう事象と結びつけられるかという問題ですね．
