ＦＤＴＤ法における入射について
現在ＦＤＴＤ法によるフォトニック結晶光波回路の解析を行っているのですが、入射が思うようにいきません。
僕が行っている解析はＥｚ、Ｈｘ、Ｈｙ成分で構成されるＴＭ波で、入射のさせかたは、解析領域におけるx＝０の位置でＥｚ成分のみについて、
Ez(x,y) = sin((y-y0)π/W) * sin(2πft)
y0:波の中心
W :波の幅
f :入射波の周波数
として、時間的にも位置的にも正弦波の連続波として入射させています。Ｈｘ，Ｈｙについてはなにも行っていません。
この入射の計算は、ＦＤＴＤの電磁界を計算する前に入れており、入射の計算を行ったあとに電界と磁界をそれぞれ計算するようにしています。
しかしこのままでは発散していまってので、ＦＤＴＤの電界の計算は入射位置を除いた（入射位置がEz(1,j)とするとEz(2,j)から)位置から行っています。
一応このやり方で導波路に波は伝搬するのですが、入射初期の波頭は減衰してなくなってしまいます。しかも遠くに伝搬するにしたがって波はどんどん減衰していき、定常応答を得るまでにかなりの時間を要します。波の振る舞いについてはこれで正しいのでしょうか？
あと、時間と位置的にガウス波の孤立パルスも入射させてみたのですが、すぐに減衰して広がってしまって最初の振幅を保ったまま伝搬しません。なにかおかしい所があるのでしょうか？それともこれで正しいのでしょうか？ＦＤＴＤに関する論文や本などには、入射についてあまり詳しく書いてないので確かめようがありません。どなたかアドバイスしてくれれば幸いです。
質問にまとまりがなく、わかりにくくて申し訳ありませんが、なにかちょっとしたことでもかまいませんので、ご回答をよろしくお願いします。
お礼
こんなに例はあるんですね・・・。 参考になります。本当にありがとうございました。 レポートが今日提出でして、本当に困ってました。 動作解析も自信はありませんが、がんばります。