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MOS-FETゲートの回路構成
- MOS-FETをCPUで駆動する際のゲート抵抗設定方法には2通りあります。
- 一つはCPUポート - ライン抵抗 - 接地抵抗 - FETゲートの接続方法で、もう一つはCPUポート - 接地抵抗 - ライン抵抗 - FETゲートの接続方法です。
- ?の方法はゲート電圧が大きく取れるため有利ですが、?の方にもメリットとデメリットがあります。
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毎度JOです。 実際の回路から検証してみます そもそも接地抵抗 はCPUリセット等でCPUポートがHIインピダンスとなった時、 FETの無用な動作を防ぐ働きが主です 従って高速にFETをOFFする必要が有る場合を除き1kΩ程度の大きな値をとります 一方ライン抵抗(ゲート抵抗)はFETのゲート電荷を素早く抜く為に100Ω以下の値になります 仮にこの両抵抗で「分圧」したとしても大した違いは有りません 何れにしても地抵抗はFETをOFFする局面で有効な物で、ON時にはあまり影響しません 設計時にはFETのOFF時に、入力容量と両抵抗器の時定数でFETがOFFします >>? CPUポート - 接地抵抗 - ライン抵抗 - FETゲート この構成でも問題無いと思われます、但しCPUの負荷に両抵抗が並列接続される分重くなります 今回数kΩであればこれも問題有りません ライン抵抗が数kΩと言う所が気になります、リレーの代わりにFETの様ですが ON-OFFが頻繁に行われると、FETの入力容量とライン抵抗の時定数によりFETからの発熱が増えます これはFETが大きくなると入力容量も大きくなり、ドレインの中間電位の時間が長く成る為です せめてライン抵抗は1kΩ程度にされては如何でしょう 1kΩであれば事故があっても、(12Vー5V)/1kΩ=7mAですね
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回答(1)さんがお示しの通りで間違いないと思います。 いずれの場合でも、CPUとFETの距離が離れている場合、直列抵抗は 極力FETに近く配置することが、無用のトラブルを避けることに繋がる と思います。 >?の方が、ゲート電圧がより大きく取れて有利だと思えるのですが、 このご心配については、直流設計の問題です。 ??いずれにしても、直流的にFETを完全にON-OFFできないような状態 では、設計が成立しません。CPUの電源電圧、FETのゲート電圧特性を 考慮して、CPUのポートがhighの場合にFETが完全にON状態となり、 CPUのポートがlowの場合にFETが完全にOFF状態となるようなゲート電圧 特性のFETを選択することが設計の基本です。
お礼
ご回答有難うございます。 回答(1)さんへのお礼にも書きましたが、FETをリレーの様に使用しており、 ライン抵抗:数kΩ,接地抵抗:数十kΩとしています。 FETに大電流を流すことと、接地抵抗をあまり大きくしたくないことによりゲート電圧が低くなる(+故障時を考慮したライン抵抗)ことが、設計を困難にしていることが分かりました。 ? CPUポート - 接地抵抗 - ライン抵抗 - FETゲート の致命的デメリットがあれば、 設計思想をもう少し見直すべきですね。
お礼
早速のご回答有難うございます。 やはり、ライン抵抗(ゲート抵抗)は100Ω程度にした方が良いのですね。 (今回、FETをリレーの様に使用しており、FET故障時にゲートへ電源:12Vが印加されてもCPUが壊れない様に数kΩ入れているので、それがアダになっている様です。) なぜ、? CPUポート - 接地抵抗 - ライン抵抗 - FETゲート は通常使われないのでしょうか? リレーの様に使う場合(高速に動作させない場合)は、問題ない様に思えます。 お礼が遅くなり、申し訳ありません。 危惧される点まで記載頂き、有難うございます。 自分の言葉足らずでしたが、今回のFET使用目的は、製品異常時にOFFする為、スイッチングによる温度は殆どありません。 (製品ON/OFFも頻繁にはありません。) アドバイス通り、ライン抵抗は1kΩ程度で考えます。 以上、有難うございました。