MOS-FETのゲート抵抗について

質問

趣味で乾電池を電源としたAC100Vを作ってみようと思っており、この昇圧回路にMOS-FET使おうと考えております。
MOS-FETのゲート抵抗と、ゲート-ソース間へ入れる抵抗はどのように計算したら良いのでしょうか？

回答No.1

noname#230359

毎度ＪＯです。
MOS-FETをドライブする為には、MOS-FETを十分にONさせられるだけのゲート電圧を印加せねばなりません、
ゲート電圧は通常10V以上、低電圧ドライブできるMOS-FETでも5V程度必要です、
上記の電圧が乾電池を直列として必要最低限な電圧です、

MOS-FETのゲート－ソース間はコンデンサと考えて差し支えありません、
MOS-FETをドライブする為には、このコンデンサの充放電をする事です、
質問のゲート抵抗は、MOS-FETをドライブする前段回路の保護も兼ねていますが、抵抗値が大きくなると、上記のゲート容量と抵抗値による時定数が大きくなってMOS-FETがON－OFFる時間が長くなります、
MOS-FETのONとOFF以外の状態は、MOS-FETから発熱がありますから、短時間でこの中間電位を抜けなければなりません、
したがってゲート抵抗は、前段のドライブ能力とゲート容量で決定されます、

ゲート-ソース間抵抗は上記のOFFする時間にも寄与しますが、
電源投入時・リセットなどで前段の動作が不安定（オープン状態）な状態の時ゲートをOFFさせる為に挿入します。
ゲート抵抗：ゲート-ソース間抵抗の比は１：１０以上が安全です、１：１などですとゲート抵抗・ゲート-ソース間抵抗の分圧でMOS-FETが完全にON出来ない事も考えられます。

お礼

わかりやすい説明ありがとうございます。
早速、この週末にでも工作してみたいと思います。