MOS-FETの特性

質問

勉強して分からない事があるので、是非教えて頂きたいです。

MOS-FETについてなんですが・・
１. ソース電流とドレイン電流は常にイコールにならないのでしょうか？漏れがなければ、イコールになる気がするのですが・・。
２. IV特性からチャネル抵抗を算出する方法がよく分かりません・・。

大変恐縮なんですが、１つでもいいので教えて下さい。

回答No.2

Rossana · ベストアンサー

＞２. IV特性からチャネル抵抗を算出する方法がよく分かりません・・。

線形領域：
iD=β[(vGS-vTH)vDS-vDS^2/2]
飽和領域：
iD=(β/2)(vGS-vTH)^2(1+λvDS) (λはチャネル長変調係数で理想的な場合はλ＝0でvDSに依存しなくなります．）
なので，
チャネルコンダクタンスg_m=∂iD/∂vDS
チャネル抵抗R_(cn)=1/g_m
で求まります．
図形的には線形領域と飽和領域でのiD-vDS特性の傾きの逆数です．

回答No.1

pote_con

＞１. ソース電流とドレイン電流は常にイコールにならないのでしょうか？漏れがなければ、イコールになる気がするのですが・・。

熱損失がありますから現実的にはイコールにはなり得ません。