トランジスタのベースエミッタ間電圧

質問

教えてください。
電流帰還バイアスにおいて
ある本では、オシロの写真が載っていて、Vbに2.6のバイアスをかけて正弦波を流すと、2.6Vを中心に正弦波が現れVeにはそれより0.6V低いところを中心に同じ波形が現れています。これはVbeが常に0.6Vということを示しているということですよね。このVbe=0.6Vはどんな信号が入ってもかわりません。

そしてほかの本では入力電流Ibを変化させているのはVbeでその関係はIb-Vbe(入力特性)のグラフからわかると書いてあり、確かにIbが正弦波で現れるときは、Vbeも正弦波を描いている様子がグラフ上にかいてあります。

これ、なんかおかしくないですか？
上の本では入力電圧(入力電流)があってもVbeはつねに一定。下の本では、入力電流の変化はVbeの変化と共にあるというような感じです。

僕が思うに、ベースエミッタ間に電圧をかけてもその電圧はダイオードの作用と一緒で電圧は吸収されて一定になって、でも電流は増減するわけでその電流の増減でコレクタエミッタ間の電流を増減させてトランジスタの外部において抵抗などで電流を電圧に変換しているというような感じでしょうか？

よくわからないですが、入力特性のグラフは静特性であって、それと実際に信号があるときのことをごっちゃにして考えてること自体おかしなことなのですかね？
Ib-Vbeの特性はVce一定にしてと書いてあるし。
でも実際の回路でははVceは常に変化しているわけで。
そこらへんが関係している？

よろしくおねがいします。

回答No.3

crabbit

自分もよくわからないのですが
入力電圧の0.6V以外は、エミッタに繋がっている素子に吸収されているのではないのですか？
それと、IBとVbeの関係は、物の本によく載っている
Ib=Is/hFE exp[ (q/kt) Vbe ]
の式に近似的に従うはずです。
この特性から言ってもほぼダイオードと同じはずです。

回答No.2

ASIMOV

上の本？と下の本？．．現物を見てないので何とも言えませんが、同じ環境で実験を行えば、同じ結果が出るはずです
グラフの目盛りが違うとか、動作点が違うなどで、結果が違っているのではないでしょうか？
補足質問欄のＵＲＬについても、目盛りが対数目盛りになっていますね、その為、カーブが強調されている様に思います

ちなみに、ゲルマニュームトランジスターのVbeは0.2V位だったりします

回答No.1

gura_

量の大小の問題で、一定と言ったり、変化すると言ったりしているのです。

　ベース電流は、ベースエミッタ間のダイオード特性で流れますから、極僅かなVbeの変化で、Ibは大きく変化します。↓
http://kccn.konan-u.ac.jp/physics/semiconductor/diagram/a09.html

　電流帰還回路では、VbはVbe+Ib*Reですが、Vbeの変化はIbの変化に比べて極めて小さいので、ほぼ一定(0.6V)とみなせる訳です。↓
http://www.gem.hi-ho.ne.jp/katsu-san/audio/tube_distortion.html

補足

トランジスタを通常使う範囲ではIbの大きな変化もVbeにとっては0.6前後で収まってしまうということですか？
それから、トランジスタには入力信号で1Vp-pとか2Vp-pなどという信号を流すわけなんですがそのときでもVbeはほぼ0.6Vなわけですよね。そうすると残りの入力信号の電圧はどこにいっちゃのですか？
また、そのときはVbeは一定ではなく僅かに変化しているわけですよね。そのVbeの電圧の変化分を導くにはどうしたら良いのでしょうか？

あと、このページhttp://www.asahionkyo.co.jp/office/syahold/orm_13.htm
のダイオードのグラフ、また書いてある内容をみるとよく言われている、ダイオードの順方向電圧が0.6Vと仮定するのに疑問を感じてしまうですが？(あと計算方法もよくわかりません。逆算すれば確かそうなるのですが）
またダイオードとトランジスタのデータシートを見ると
トランジスタの特性は0.65V(25°)でほぼ垂直なのですが、ダイオードのものは上のHPのように湾曲したグラフになっています。ベースエミッタ間はダイオードのそれと同様などとかいてあることが多いのですが全然ちがうようなきがするのですが？