配向度と電気抵抗率の圧力依存性

質問

酸化物系半導体となる酸化物粉末を混合して成形、焼結した試料の配向度と電気抵抗率の圧力依存性について悩んでいます。抵抗率は4端子法で測定しました。

イメージとして、粉末試料を成形（一軸加圧、押し固める）すると、その圧力が高い方が粉末体が緻密化し、密度が高くなり配向度は上昇し、空孔などの欠陥が減るので電子が流れやすくなり電気抵抗率は減少するように思えます。

結論からいうと、電気抵抗率は上記と真逆のことが起こってしまいました。
圧力をかけるほど、抵抗率が上昇し、低い圧力で成形した試料では抵抗率が減少しました。
また配向性を持ちやすい試料であることは分かっており、XRDの結果は高圧も低圧もはっきりと00Lピークを示していますが、肝心の配向度の算出はまだできていません。

電気抵抗率はなぜ下がってしまったのでしょうか…？
以下の似たようなご質問のご回答に、「イオンが電荷担体になっていて点欠陥を通じて移動が起きる場合」とありますが、今回の試料ではそういった話は出てきていません。
http://okwave.jp/qa/q476745.html

自分が根拠なく考えていることは、
・圧力をかけすぎて結晶が割れて、粒界などの界面が多数発生した。(そうなるとXRDに反映されてるはず…ですよね？)
・不純物相の存在。(文献等見る限りあまり考えられていません。)
です。無知ながらよろしくお願いします。

回答No.2

leo-ultra

ちょっと的外れな回答かもしれませんが、

非常に欠陥や不純物の少ない半導体は電気をほとんど通しませんよ。

だって、電気が流れるのは、不純物や欠陥が余分な電子やホールを供給するからでしょう。

それが少なければ、抵抗が高くなるのは当然。

回答No.1

tetsumyi

実験ですから、推測で結論は出ません。
原因となるであろうあらゆる要素を検討して、事実を確認してください。
電子顕微鏡で調べるか、他の方法でデータを取って確認できるようにしてください。
ＳＴＡＰ細胞のようなで、たらめなデータや結論を出しても信用を失うだけです。