p-Siの抵抗（率）の温度依存性

質問

p型シリコンの抵抗（率）、もしくは電気伝導率の温度依存性（室温~400℃）を示すグラフがある文献・論文があればご教授いただきたいです。ドープ量ごとに調査されているものがあればクリティカルです。実験結果も計算結果も両方あればありがたいですが、片方のみでもうれしいです。
この世のどこかにはあるものだとは思うのですが、調べ方が悪いのか他のものに埋もれてしまって見つけられませんでした。
よろしくお願いいたします。

回答No.2

ohkawa3

補足ありがとうございました。
縮退領域までドープされた場合など、広範囲のデータを求めていることが分りました。
私では到底回答できない領域のようですので、退散したいと思います。

お礼

回答していただきありがとうございました🙇‍♂️

回答No.1

ohkawa3

初歩的には、ある1点の温度における抵抗率が分っていれば、次の式で温度依存性は容易に計算・グラフ化できると思いますが・・・・

　ρ ∝ exp（⊿E／2kT）
　　　ρ：抵抗率
　　　⊿E：バンドギャップ
　　　k：ボルツマン定数
　　　T：（絶対）温度

ご所望なのは、もっと高度なデータなのだと想像しますが、如何でしょうか。

補足

早速の回答ありがとうございます。
例えば縮退領域までドープされたSiだと、私のイメージでは、抵抗は温度依存性を持たなくなるか、あるいは温度の上昇にしたがって抵抗は（移動度の増大に伴い）大きくなる気がしています。
あくまでイメージの話ですので、このイメージの真偽を明らかにしたいという意味も込めて題意のような質問をさせていただいた次第です。
ですので、実験値であればよりうれしいといったところでしょうか。
もしohkawa3様の知識でお借りできるところがございましたら教えていただけると幸いです。