有機ＥＬの論文を読んでいるんですが、わからないところがあり困っています。全体としては、ITOとホール輸送層の間にMoO3
をいれると、発光効率などが上がるという話です。
わかる範囲でいいので、どうか手助けお願いします。
・Assuming the scalable law of Coulombic degradation for driving at 100cd/m2 , the half-life is projected to be over 50000h.
「クーロン劣化のスケール則に従うと仮定すれば、輝度が 100 cd/m^2 のときの輝度半減期は 5万時間以上になると予想される。」と訳してみたのですが、クーロン劣化のスケール則とは何なのでしょうか？それとも訳を間違えているのでしょうか？
・It is generally easier to induce the crystallization of hole transport layer by the introduction of an improper buffer layer due to Joule heat during device operation.
「ＥＬ素子作動中のジュール熱のため、簡単にホール輸送層の結晶化を引き起こしてしまう」というような意味だと思うのですが、なぜジュール熱によって結晶化が起こるのかよくわかりません。
・We found that the introduction of the MoO3 buffer layer improved the interface stability and avoid the crystallization of hole transporting layer NPB.
この文章のように、interface stability (界面の安定性？) というのがよくでてくるのですが、これはどういう意味なのでしょうか？
お礼
参考になりました！ありがとうございます！