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光学に関する質問
誘電率、透磁率、電気伝導度がそれぞれε、μ、σである 導体に真空中からS偏光した光が入射角θiで入射して いる場合、 (1)導体表面から深さdの位置における 電場と磁場を入射電場Eiで表すと どうなるか? (2)光の伝わる方向、偏光状態はどうなるか? このような問題が昔、何かの試験で出たのですが 未だに回答がよく分かりません。 たぶん、簡単な問題だとは思いますが この分野は苦手なもので・・・・。 光学、電磁気学が得意な方が居られれば 詳しく教えて頂けないでしょうか。
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まずMaxwellの方程式から導かれる、一番簡単な平面波の電磁波の性質という物を理解することです。 いま電場をE=exp[i(k・r-ωt)](iは虚数)とします。 rは位置ベクトル(x,y,z)、ωは光の振動数、tは時間、kは波数ベクトルです。k=N・k0でk0は光の進む方向を示す波数ベクトルです。大きさは|k0|=2π/λ、λは波長、になります。 平面をx,yにとり、平面に垂直方向をzにとり、光の進行方向をxz平面上とすると、 k0=2π/λ・(sinθ,0,cosθ) と入射角θで進む光を表せます。 ここでNは複素屈折率で、N=n+iκです。 nは屈折率の実部でスネルの法則でもおなじみですね。 スネルの法則によると、sinθi=n・sin(θ) θiは入射角、θは物質の中の光の進む屈折した角度を表します。 κは消衰係数と呼ばれています。これは吸収を表します。 さて、Maxwellの方程式の中に上記の式を一つの解として放り込んであげると、問題に与えられているε、μ、σと上記の電磁波のn,kとの関係が出てきます。 N^2=εr・μr + i・μr・σ/(ω^2・ε0) εr =ε/ε0 , μr=μ/μ0, ε0は真空の誘電率、μ0は真空の透磁率 N = n + iκ となります。 あとは物質の中を進む光の角度もわかっているからk0はわかるし、kはk0と上記の式でNを求めれば求められるのでそれほど苦労はないと思います。 等方性物質であれば電場の方向は光の進行方向に垂直だし、s偏光であれば考えるのは容易でしょう。 もし上記でもちんぷんかんぷんであれば、Maxwellの方程式を御自身で解いて、計算してみるところから始めて、少しずつ介して行くしかないと思います。