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半導体でトランジスタを作成したとき高温で動作するかどうかはバンドギャッ
半導体でトランジスタを作成したとき高温で動作するかどうかはバンドギャップで決まりますか? バンドギャップが大きいほうが高温に耐えうるのでしょうか。
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バンドギャップが大きいほうが、高温での動作に有利なようです。 SiCだと400℃くらいで使えた、なんて話もあるのだとか。
半導体でトランジスタを作成したとき高温で動作するかどうかはバンドギャップで決まりますか? バンドギャップが大きいほうが高温に耐えうるのでしょうか。
バンドギャップが大きいほうが、高温での動作に有利なようです。 SiCだと400℃くらいで使えた、なんて話もあるのだとか。
お礼
バンドギャップが大きいほうが高温動作に有利なんですね!ご回答ありがとうございます。 でもあまり高くしすぎると絶縁体に・・・みたいなこと起きないのでしょうか。 バンドギャップを人工的に操作できたら科学が急激に進歩しそうですね。