回路
図に示す回路を構築し、
・SWをOFFにした時のV1a,V1b,V2,V3,VBE,VCE,VF,Vを計測。なお、R1は最も左に回した状態とする
・SWをONにした状態で、LEDが最も明るい時のV1a,V1b,V2,V3,VBE,VCE,VF,Vを計測。また、ベース電流IBとコレクタ電流Icを計測し、直流電流増幅率hFEを計算すること。
・SWをONにした状態でR1を変化させ,LEDが消えた時のV1a,V1b,V2,V3,VBE,VCE,VF,Vを計測.またベース電流IBとコレクタ電流Icを計測すること.
なお,R=50[KΩ],R2=10[KΩ],R3=470[KΩ],TR=SC1740S,V=v4とする.
という実験で計測値は以下のようになりました
SW|LED|V1a[V]|V1b[V]|V2[V]|V3[V]|VBE[V]|VCE[V]|VF[V]|IB[MA]|IC[mA]|hFE|
ON|最も明るい|5.41|0.1|0.17|2.72|0.67|0.84|1.83|17.2|5.85|340.11|
ON|消灯|1.85|3.55|0|0|0.43|3.98|1.41|0|-|
ON|-|0|0|0|0|0.13|4.03|0.11|-|-|-|
そこでSW1のONとOFF及びR1の値の変更によって,回路として何がどう変わったかを計測した電圧をもとに説明し,今回の実験結果が得られた理由ってどういうこと書けばいいですか?(図の回路のうちの左下の閉回路におけるそれぞれの素子にかかる電圧,トランジスタの機能に注目すること)
表がわかりにくかったら教えてください
お礼
ご回答ありがとうございます。 可変抵抗の役割は知っていましたが、図のような講造は知りませんでした。 イメージすると右図の講造について理解することができました。 ありがとうございます。