半導体におけるキャリア生成エネルギー

質問

EDXなどの半導体検出器を考えるとき、電子-正孔ペアのキャリアの
生成エネルギーは何で決まるのでしょうか？
Siのバンドギャップは1.2eVほどですが、電子-正孔ペアの生成エネルギー
は3.6eV程度だったと思いますが、これは、なぜでしょうか？

回答No.2

leo-ultra · ベストアンサー

経験則として、ばんどギャップの３倍と言われています。
直接遷移でもこれはなりたつと思いますので、
Siが間接遷移のためじゃないと思います。

ようするに入ったエネルギーが100%電子励起に費やされる
わけではないということでは。むしろ、電子励起に費やされる
分が少ないということでは。

お礼

なるほど、入射エネルギーが１００％電子励起に費やされるわけ
ではないのですね。
なにか，よい参考文献はございますでしょうか？

回答No.1

eatern27

シリコンが間接遷移型の半導体だからじゃないでしょうか。